FLASH原理与应用培训教材.pptxVIP

FLASH Introduction目录FLASH器件简介FLASH应用场合FLASH硬件设计FLASH软件设计FLASH测试指标FLASH应用案例FLASH器件简介FLASH作为一种非易失性存储器，在原理、技术和结构上，与ROM、PROM、EPROM和EEPROM存储器有着显著不同。它是一种可快速擦除可现场编程的快擦写存储器。 这种特性决定了FLASH作为BIOS、在线擦写和掉电保护数据和分区保护数据等场合有着广泛的应用。 FLASH是由一个带浮栅的晶体管构成，该晶体管的阈值电压可通过在其栅极上施加电场而被反复改变（编程），结合了EPROM编程机制和EEPROM擦除特点。FLASH器件简介非易失性：掉电数据不会丢失 －－ROM特性在线更改数据:－－RAM特性兼有ROM和RAM的特点:块结构：Flash按块操作的特点命令接口：可编程特性编程特点：编程之前必须擦除寿命限制：一般的Flash为10万次的擦写循环，20年的数据保持时间FLASH器件简介容量:1Mbit(128K×8bit)，4Mbit(512K×8bit/256K ×16bit)16Mbit(2M×8bit/1M×16bit)，32Mbit (2M×16bit) 64Mbit(4M×16bit),128Mbit(16M×8bit/8M×16bit)数据宽度：有2种数据总线宽度，byte、word(一般可配置）FLASH应用场合Flash IC几乎每块单板上都有它的身影单板的BIOS载体都是Flash单板软件，主机软件的载体也是FlashFlash Card由Flash芯片和一些外围控制电路组合而成可以存储大量的数据，我司所用的容量为：128\256\512MB在我司应用越来越广泛FLASH应用场合 FLASH应用于系统中，存放代码、数据，主要有以下三种情况 1、只用来存储BIOS程序，这部分器件有的需要插座，在生产线用编程器写入程序后，插在已加工好的单板上使用；2、只用来存储数据，如语音数据、话单数据、汉化字库等，通过后台进行在线加载，须要在加载程序中对不同厂家的ID号进行识别；3、部分容量用来存储BIOS程序，剩余容量用来存储数据、程序等；系统上电开始工作，进行后台加载，BIOS程序可以是通过软件车间烧好也可以是通过后台加载，等BIOS程序运行后，可以将其他程序或数据加载到其他FLASH器件上，也可以是对自身进行加载；因此须要在加载程序中对不同厂家的ID号进行识别；FLASH应用场合—BIOS启动流程1、主机编译BIOS代码，通过JTAG加载线烧入BOOTROM，代码的起始位置为BOOTROM基址偏移0X100。2、单板上电相当于硬件产生了0X100的复位中断，CPU从0X100的位置开始执行代码，上电时整个地址空间没有划分，各个外设的片选和基址都没有初始化，硬件的片选默认是切到BOOTROM，启动代码开始运行。3、最初的代码是在BOOTROM中运行的，首先关闭中断，禁止CACHE，关闭默认的基址寄存器，设置CPU寄存器，初始化内存参数，配置内存基址空间，大小，DEVICE BUS参数，实现从汇编向C语言的跳转，然后拷贝BOOTROM中的代码到内存的高端地址，解压缩并执行。ROM_TOP_ADR大系统(LPU_MAIN)(不可CaChe)解压缩后的BOOROM代码COMPRESSEDBOOTROM代码小系统(LPU_BASE)(不可Cache)RAM_HIGH_ADDRROM_TEST_ADR0X100保留(不可CACHE)ROM_BASEBOOTROM(FLASH芯片)RAM_LOW_ADDRSDRAMFLASH硬件设计—管脚分布不同型号的FLASH管脚可能不同，但基本都包括下面的部分：Vcc /Vccq/ Vpen / GND：电源A0-An：地址线D0-Dn：数据线CEn＃：片选信号OE＃： 输出允许WE＃：写入允许 / 对FLASH的编程、 擦除的状态机进行操作RP#（RST # ）：复位信号/POWER- DOWNBYTE#：数据宽度选择WP#：写保护信号STS（RY / BY#）：状态指示Vcc AddrVpen DataCE0#CE[2:1]#WE#OE#RP#BYTE#WP#STSGNDFLASH硬件设计—数据地址管脚对于不存在A-1/D15复用管脚的INTEL J3系列FLASH芯片，字节操作时，A0管脚选择高低字节。字节操作时，A0接CPU低位地址输出脚（注意区分INTEL和MOTORAL不同）；当选择字操作时（BYTE#=1）,A0悬空。 对于有DQ15/A-1管脚的（如MBM29LV160TE）芯片进行字节操作时，DQ15/A-1 作为最低位地址线接CPU的A0（MOTOROLA 为 A31）。FLASH器件的