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实验 PN 结直流电学特性测量 一．实验目的与意义 PN结的电学特性是微电子技术的基础。通过本实验可以使学生加深对 PN结正、反向电 学特性的了解；比较硅，锗不同半导体材料 PN结正向特性曲线的差异，并初步掌握晶体管 特性图示仪的使用方法。 二．实验原理 由《固态电子论》的 PN结理论可知，对于正向 PN结（ PN结的 P 端接电压正极， N 端接负极），电压 V 和通过该 PN结的正向电流 I 之间存在着如下关系： D n0 D p0 I Aq（Dnnp Dppn ）（eqv/KT 1） I0eqv/KT （1-1） Ln LP 式中： A为 PN结面积； Dn， Dp分别为电子、空穴的扩散系数； Ln，Lp分别为电子、空穴的扩散长度； n0p ，pn0 分别为 p 区及 n 区的平衡少数载流子浓度； q 为电子电荷量； K为玻尔 兹曼常数； T 为绝对温度。 对于反向 PN结（ P端接负极， N端接正极） ，其反向电流 I 反由三部分组成。反向漏电流 IS；反向扩散电流： qAD nn op qADp pno Lp （1-2） 势垒产生电流： 0 Ln ni I c qA i （1-3） 2 其中： ni 为测试温度下半导体 PN 结材料的本征载流子浓度， τ为少数载流子寿命， 为 PN 结势垒厚度。 在室温下， 硅 PN结以势垒产生电流为主； 而锗 PN结则以反向扩散电流为主。 反向漏电 流在实际的半导体 PN结样品中，依据制作工艺情况，和半导体晶格完整性而变化。 图 1-1 正常 PN 结 V-I 曲线 当反向电压增加超过某一数值时， PN结反向电流会突然剧增而发生击穿现象。当在 PN 结两端分别加以正向或反向电压时，可从图示仪上分别观察到对应的特性曲线，如图 2-1 所示。 VT 是开启电压； BV是击穿电压。 在 V-I 曲线的形状上也会与正常的 PN 结 V-I 曲线有所不同。常见的不良 PN结特性曲线见 图 1-2 ，如软击穿（ a），低击穿（ b），管道击穿或称分段击穿（ c ），以及沟道漏电（ d） 等。 三．实验内容 用晶体管特性图示仪观察、测量硅、锗二极管，并准确记录 V-I 曲线，比较其不同。 四．实验样品与仪器 晶体管特性图示仪，探针台。二极硅管、锗管数只。 五．实验步骤 （一）准备 1. 打开晶体管特性图示仪电源，待荧光屏上出现光点后调节光点辉度至适宜；调节 X 移 位及 Y 移位，将光标原点调至坐标原点。 2. 测试选择开关打向 A时，用左侧测试孔或接线柱测量；打向 B 时，用右侧测试孔或接 线柱测量。集电极“ E”接地。 3．功耗限制电阻及串联电阻均用 1K档。将 Y轴刻度旋钮置于 1mA/度， X轴刻度旋钮置 为 0.1 伏/ 度。峰值电压范围，采用 0-50V 档。 （二）测试 1．pn 结正向特性测量 将待测二极管的两管脚插入“ C”和E“”插孔（或接线柱），或者是 标有 I R的两插孔。缓慢旋动“峰值电压”，逐渐增大加在 PN结上的电压，如果屏幕上出现 PN结正向 V-I 曲线，则记录曲线形状，标出开启电压。若不是正向 V-I 曲线，可调换二极 管的两管脚；或者按下极性按键来改变“ C”、E“”两插孔上加载电压的极性，屏幕上将出现 PN结正向 V-I 曲线。测量完毕将“峰值电压”旋回零点。 2．PN结反向特性测量 测 PN结反向特性时，增大峰值电压范围，相应地将 Y 轴刻度旋 钮置于较高的档， X轴刻度旋钮置于较低的档。将极性按键按下，此时 PN结为反向偏置。 缓慢旋转“峰值电压”旋钮，加载在 PN结上的反向偏压不断增大，直至 PN结被击穿，荧光 屏上得到反向 V-I 特性曲线。绘出反向 V-I 曲线图形，记录击穿电压数值。 如果反向偏置电压加至最大（如 500V）， PN结仍未击穿，可以使用仪器高压部分进行测 量。注意高压插孔的接线极性正确， Y 轴刻度旋钮、 X 轴刻度旋钮，及峰值电压范围均置于 高压档， 将“峰值电压”旋钮旋至一定位置，按住高压按钮，观察荧光屏上的 I-V 曲线，如 果 PN 结反向被击穿，记录曲线图形和击穿电压，如果未被击穿，继续升高电压，直至 PN 结被击穿。 使用仪器高压部分进行测量时，一定要注意安全，注意手、以及身体其它部分不要碰到 电源！ 3．反向电流测量 使用标有 I R的两插孔测量二极管的反向电流。因 PN结反向电流很 小，将 Y 轴刻度旋钮置于较高的档， X 轴刻度旋钮置于微安或更低的档，读取 I 反。 六．数据处理 I-V 特性曲线绘制；记录硅、锗 pn 结的开启电压，击穿电压，以及反向电流。 锗管开启电压 0.08V ，击穿电压 -60V ，反向电流 -2uA ；硅管开启电压 0.3V，反向电压 以及饱和电流由于电压大于 500V，出于安全考