《模拟电子技术》王淑娟 书后习题答案 第4章.docVIP

【4-1】解： (1)结型，绝缘栅型，多数，单极型。 (2)电压，电流。 【4-2】解： (a)P沟道增强型MOS管，开启电压，。在工作点、处低频跨导为 (b)N沟道耗尽型MOSFET，夹断电压，。在工作点、处低频跨导为 【4-3】解： 由图P4.3(b)转移特性曲线可知：。转移特性曲线过点(6V,4mA)和(4V,1mA)。将其参数带入方程： 解得： 由图(a)可得： 电路的静态工作点计算如下： 低频跨导为 放大电路的电压放大倍数为 【4-4】解： 将、、代入方程 解得：。 流过、，则 将、带入方程： 解得：，。 【4-5】解： 【4-6】解： 电路的直流通路如图A4.6(a)所示。电路中场效应管为N沟道增强型场效应管，所以 列写输入、输出回路方程： (1)该放大电路的中频微变等效电路如图A4.6(b)所示。 (a)直流通路 (b)微变等效电路 (2)电压放大倍数为 式中 输入电阻为 输出电阻为