AKZMB12N60
N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY FEATURES
VDS (V) at TJ max. 600 • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.70 • Low input capacitance (Ciss)
Q max. (nC) 43 • Reduced switching and conduction losses
g
Qgs (nC) 5 • Ultra low gate charge (Qg)
Qgd (nC) 22 • Avalanche energy rated (UIS)
Configuration Single APPLICATIONS
• Server and telecom power supplies
• Switch mode power supplies (SMPS)
• Power factor correction power supplies (PFC)
• Lighting
- High-intensity discharge (HID)
- Fluorescent ballast lighting
• Industrial
TO-220AB
TO-220 FULLPAK D
G
S
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