AKZE30N06
N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY FEATURES
• TrenchFET® Power MOSFET
VDS (V) rDS(on) (Ω) ID (A)a
• 175 °C Junction Temperature
0.025 at VGS = 10 V 35
60
0.030 at VGS = 4.5 V 30
TO-252 D
G
Drain Connected to Tab
G D S
S
Top View
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter Symbol Limit Unit
Gate-Source Voltage VGS ± 20 V
TC = 25 °C 35
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)b ID
TC = 100 °C 28
Pulsed Drain Current
您可能关注的文档
- 场效应MOS管AK6004R参数4A60V封装SOT-223.pdf
- 场效应MOS管AK6005AR参数5A60V封装SOT-223.pdf
- 场效应MOS管AK6005R参数5A60V封装SOT-223.pdf
- 场效应MOS管AK60P04R参数-4.3A-60V封装SOT-223.pdf
- 场效应MOS管AK0102B参数1.8A100V封装SOT-23.pdf
- 场效应MOS管AK0102参数2A100V封装SOT-23.pdf
- 场效应MOS管AK0103参数3A100V封装SOT-23.pdf
- 场效应MOS管AK1013E参数-0.66A-20V封装SOT-23.pdf
- 场效应MOS管AK2301A参数-3A-15V封装SOT-23.pdf
- 场效应MOS管AK2301B参数-2.6A-20V封装SOT-23.pdf
最近下载
- 2025年海南省初中学业水平考试地理卷试题真题(含答案).pdf VIP
- 腹横肌平面阻滞讲解学习.ppt VIP
- 中职英语(新语文版)基础模块2词汇表.pdf VIP
- 排水管道检测与评估课件 项目3 传统检查方法.pptx VIP
- 膈肌起搏器课件.pptx VIP
- QTZ63(PT5210B)塔式起重机说明书.pdf
- 流畅英语口语教程(第二版)第4册引进课后习题答案.pdf
- 放射物理与防护放射物理与防护第六章-常用的辐射量和单位第二节.ppt VIP
- 《民航飞机航电设备故障检测与诊断》课件 第一章 航电设备故障诊断与维修基础.pdf
- 2026年春季新学期开学德育工作副校长讲话:以自律诠释成长,以行动彰显文明.docx
原创力文档

文档评论(0)