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抗辐射加固微电子论文 １引言 预计在未来１０到２０年，微电子器件抗辐射加固的重点发展技术是：抗辐射加固新技术和新方法研究；新材料和先进器件结构辐射效应；多器件相互作用模型和模拟研究；理解和研究复杂３－Ｄ结构、系统封装的抗辐射加固；开发能够降低测试要求的先进模拟技术；开发应用加固设计的各种技术。本文分析研究了微电子器件抗辐射加固设计技术和工艺制造技术的发展态势。 ２辐射效应和损伤机理研究 微电子器件中的数字和模拟集成电路的辐射效应一般分为总剂量效应（ＴＩＤ）、单粒子效应（ＳＥＥ）和剂量率（ＤｏｅｓＲａｔｅ）效应。总剂量效应源于由γ光子、质子和中子照射所引发的氧化层电荷陷阱或位移破坏，包括漏电流增加、ＭＯＳＦＥＴ阈值漂移，以及双极晶体管的增益衰减。ＳＥＥ是由辐射环境中的高能粒子（质子、中子、α粒子和其他重离子）轰击微电子电路的敏感区引发的。在ｐ－ｎ结两端产生电荷的单粒子效应，可引发软误差、电路闭锁或元件烧毁。ＳＥＥ中的单粒子翻转（ＳＥＵ）会导致电路节点的逻辑状态发生翻转。剂量率效应是由甚高速率的γ或Ｘ射线，在极短时间内作用于电路，并在整个电路内产生光电流引发的，可导致闭锁、烧毁和轨电压坍塌等破坏［１］。辐射效应和损伤机理研究是抗辐射加固技术的基础，航空航天应用的ＳｉＧｅ，ＩｎＰ，集成光电子等高速高性能新型器件的辐射效应和损伤机理是研究重点。研究新型器件的辐射效应和损伤机理的重要作用是：１）对新的微电子技术和光电子技术进行分析评价，推动其应用到航空航天等任务中；２）研究辐射环境应用技术的指导方法学；３）研究抗辐射保证问题，以增加系统可靠性，减少成本，简化供应渠道。研究的目的是保证带宽／速度不断提升的微电子和光（如光纤数据链接）电子电路在辐射环境中可靠地工作。图１所示为辐射效应和损伤机理的重点研究对象。研究领域可分为：１）新微电子器件辐射效应和损伤机理；２）先进微电子技术辐射评估；３）航空航天抗辐射保障；４）光电子器件的辐射效应和损伤机理；５）辐射测试、放射量测定及相关问题；６）飞行工程和异常数据分析；７）提供及时的前期工程支持；８）航空辐射效应评估；９）辐射数据维护和传送。 ３抗辐射加固设计技术 ３．１抗辐射加固系统设计方法 开展抗辐射加固设计需要一个完整的设计和验证体系，包括技术支持开发、建立空间环境模型及环境监视系统、具备系统设计概念和在轨实验的数据库等。图２所示为空间抗辐射加固设计的验证体系。本文讨论的设计技术范围主要是关于系统、结构、电路、器件级的设计技术。可以通过图２所示设计体系进行抗辐射加固设计：１）采用多级别冗余的方法减轻辐射破坏，这些级别分为元件级、板级、系统级和飞行器级。２）采用冗余或加倍结构元件（如三模块冗余）的逻辑电路设计方法，即投票电路根据最少两位的投票确定输出逻辑。３）采用电路设计和版图设计以减轻电离辐射破坏的方法。即采用隔离、补偿或校正、去耦等电路技术，以及掺杂阱和隔离槽芯片布局设计；４）加入误差检测和校正电路，或者自修复和自重构功能；５）器件间距和去耦。这些加固设计器件可以采用专用工艺，也可采用标准工艺制造。 ３．２加固模拟／混合信号ＩＰ技术 最近的发展趋势表明，为了提高卫星的智能水平和降低成本，推动了模拟和混合信号ＩＰ需求不断增加［２］。抗辐射加固模拟ＩＰ的数量也不断增加。其混合信号ＩＰ也是相似的，在高、低压中均有应用，只是需在不同的代工厂加工。比利时ＩＭＥＣ，ＩＣｓｅｎｓｅ等公司在设计抗辐射加固方案中提供了大量的模拟ＩＰ内容。模拟ＩＰ包括抗辐射加固的ＰＬＬ和Ａ／Ｄ转换器模块，正逐步向软件控制型混合信号ＳｏＣＡＳＩＣ方向发展。该抗辐射加固库基于ＸＦａｂ公司１８０ｎｍ工艺，与台积电１８０ｎｍ设计加固ＩＰ库参数相当。ＴＩＤ加固水平可以达到１ｋＧｙ，并且对单粒子闭锁和漏电流增加都可以进行有效加固。 ３．３ＳｉＧｅ加固设计技术 ＳｉＧｅＨＢＴ晶体管在空间应用并作模拟器件时，对总剂量辐射效应具有较为充分和固有的鲁棒性，具备大部分空间应用（如卫星）所要求的总剂量和位移效应的耐受能力［３］。目前，ＳｉＧｅＢｉＣＭＯＳ设计加固的热点主要集中在数字逻辑电路上。ＳＥＥ／ＳＥＵ会对ＳｉＧｅＨＢＴ数字逻辑电路造成较大破坏。因此，这方面的抗加设计技术发展较快。对先进ＳｉＧｅＢｉＣＭＯＳ工艺的逻辑电路进行ＳＥＥ／ＳＥＵ加固时，在器件级，可采用特殊的Ｃ－Ｂ－ＥＳｉＧｅＨＢＴ器件、反模级联结构器件、适当的版图结构设计等来进行ＳＥＥ／ＳＥＵ加固。在电路级，可使用双交替、栅反馈和三模冗余等方法进行加固设计。三模冗余法除了在电路级上应用外，还可作为一种系统级加固方法使用。各种抗辐射设计获得的加固效果各不相同。例如，移相器使用器件