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第一章PN结 PN结是怎么形成的？ 耗尽区：正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷， 所以该区也称为耗尽区。 空间电荷边缘存在多子浓度梯度，多数载流子便受到 了一个扩散力。在热平衡状态下，电场力与扩散力相 互平衡。 p型半导体和n型半导体接触面形成pn结，p区中有 大量空穴流向n区并留下负离子，n区中有大量电子 流向p区并留下正离子（这部分叫做载流子的扩散）， 正负离子形成的电场叫做空间电荷区，正离子阻碍电 子流走，负离子阻碍空穴流走（这部分叫做载流子的 漂移），载流子的扩散与漂移达到动态平衡，所以 pn 结不加电压下呈电中性。 PN结的能带图（平衡和偏压） 无外加偏压，处于热平衡状态下，费米能级处处相等 且恒定不变。 1.3内建电势差计算 N区导带电子试图进入p区导带时遇到了一个势垒， 这个势垒称为内建电势差。 八。 八。Uj NaNd 1.4空间电荷区的宽度计算 2 冬 2 冬M +VRHNa + N 1/2 7 NaNd NaXp 二 Ndxn 1.5 PN结电容的计算 e sN e sNaNd 1/2 C -加 +VR)(Na + Nd) 一 第二章PN结二极管 2.1理想PN结电流模型是什么？ 势垒维持了热平衡。 反偏：n区相对于p区电势为正，所以n区内的费米 能级低于p区内的费米能级，势垒变得更高，阻止了 电子与空穴的流动，因此pn结上基本没有电流流动。 正偏：p区相对于n区电势为正，所以p区内的费米 能级低于n区内的费米能级，势垒变得更低，电场变 低了，所以电子与空穴不能分别滞留在 n区与p区， 所以pn结内就形成了一股由n区到p区的电子和p区到n区的空穴。电荷的流动在pn结内形成了一股电 流。 过剩少子电子：正偏电压降低了势垒，这样就使得 n 区内的多子可以穿过耗尽区而注入到 p区内，注入的 电子增加了 p区少子电子的浓度。 2.2少数载流子分布（边界条件和近似分布） 2.3理想PN结电流 jjex弹 s I kT 丿一 eDpPeDnn eDpP eDnnpo Ln 2 二 eni 2.4 PN结二极管的等效电路（扩散电阻和扩散电容的 概念）？ 扩散电阻：在二极管外加直流正偏电压，再在直流上 加一个小的低频正弦电压，则直流之上就产生了个叠 加小信号正弦电流，正弦电压与正弦电流就产生了个 增量电阻，即扩散电阻。 扩散电容：在直流电压上加一个很小的交流电压，随 看外加正偏电压的改变，穿过空间电荷区注入到 n区 内的空穴数量也发生了变化。P区内的少子电子浓度 也经历了同样的过程，n区内的空穴与p区内的电子 充放电过程产生了电容，即扩散电容。 2.5产生-复合电流的计算 2.6 PN结的两种击穿机制有什么不同？ 齐纳击穿：重掺杂的pn结由于隧穿机制而发生齐纳击 穿。在重掺杂pn结内，反偏条件下结两侧的导带与价 带离得非常近，以至于电子可以由 p区直接隧穿到n 区的导带。即齐纳击穿。 雪崩击穿：当电子或空穴穿越空间电荷区时，由于电 场的作用，他们的能量会增加，增加到一定的一定程 度时，并与耗尽区的原子电子发生碰撞，便会产生新 的电子空穴对，新的电子空穴又会撞击原子内的电子， 于是就发生了雪崩击穿。 对于大多数pn结来说，雪崩击穿占主导地位。在电场 的作用下，新的电子与空穴会朝着相反的方向运动， 于是便形成了新的电流。 第三章双极晶体管 3.1双极晶体管的工作原理是什么? 3.2双极晶体管有几种工作模式，哪种是放大模式？ 正向有源，反向有源，截止，饱和。 3.3双极晶体管的少子分布（图示） 3.4双极晶体管的电流成分（图示），它们是怎样形 成的？ 正向有源时同少子分布 3.5低频共基极电流增益的公式总结（分析如何提高 晶体管的增益系数） 11 N B 1 1 N B Db Xb Ne De xe 1 PeoDeLb tanh(XB / Lb) nboDbLe tanh(XE /Le) 1 cosh(xB / Lb) 1 1 Ao ex3 I eVBE 2kT 3.6等效电路模型（Ebers-Moll模型和Hybrid-Pi模 型）（画图和简述） 3.7双极晶体管的截止频率受哪些因素影响？ 基区渡越时间。利用有内建电场的缓变掺杂基区。 3.8双极晶体管的击穿有哪两种机制？ 第四章MOS场效应晶体管基础 4.1 MOS结构怎么使半导体产生从堆积、耗尽到反型 的变化？ 反型：当在棚极加上更大的负电压时，导带和价带的 弯曲程度更加明显了，本证费米能级已经在费米能级 的上方了，以至于价带比导带更接近费米能级，这个 结果表明半导体表面是p型的，通过施加足够大的负 电压半导体表面已经从n型转为p型了。这就是半导 体表面的空穴反型层。 4.2 MOS结构的平衡能带图（表面势、功函数和亲和 能）及平衡能带关系 VOX 0 + 中 s0