半导体器件物理第二章答案.docxVIP

2-1 . P N结空间电荷区边界分别为 xp和xn , 利用np ni e 导出Pn(Xn)表达式。给 出N区空穴为小注入和大注入两种情况下的 Pn (Xn)表达式。 解：在 X Xn处 Pn xn nn Xn Pn nn exp Xn Xn ni exp ni exp EFn I KT Efp Pn Xn 而 nn xn Pn0 Pn nn0 nn nno Pn xn Pn nno nn V n2e Vt Pn Pn 1 Pn □no n2 V □no 2 Pn + n no Pn - n： e %VVt=0 Pn ino +J n；o+4n i2』％ 2 小注入: Pn nno) Pn 大注入: 所以 山0 Pn 2 Pn 2 ni e v /Vt Pn°e nno且 Pn 2-2 .热平衡时净电子电流或净空穴电流为零， Vt ln 解：净电子电流为 In n qA(Dn — 处于热平衡时, I n= 0 ，又因为 巳Efp KT EFn呂 KT nno Pn nn) Pn n2e V Vt (此为一般结果 2 ni nn0 pn0 Pn ni eV 2Vt 用此方法推导方程 d dx 所以n nd Dn dx n，又因为Dn x Vt n （爱因斯坦关系） 所以d VLdn n 从作积分，则 Vt In nno Vt In 叶。 n2 E VTlnN VT In NaNd 2~ ni 2-3 .根据修正欧姆定律和空穴扩散电流公式证明, 在外加正向偏压V作用下, PN结N侧 证明: 空穴扩散区准费米能级的改变量为 efp qV。 Jp qDp晋 dx Jp P( J dxpdEFPP dx (1) (2) dEFP dx qDp pPn dx q供 从X1 x2积分: Efp qVy In Pn Pn (x 2) Pn (Xi) 将恥2) Pn0 Pn( xj Pn°e V/VT 代入 得 E FP qV 2-4 .硅突变结二极管的掺杂浓度为: Nd 1015 cm 3, Na 4 1020cm 3，在室温下计算: （a）自建电势（b）耗尽层宽度 解：（a）自建电势为 （c）零偏压下的最大内建电场。 0 n p V 0 n p VT ln NaNd 2~ 0.0261n10 4 10 0.913V 2.25 1020 (b)耗尽层宽度为 W W 人(/2 1.09 10 4 cm (2 11.8 8.854 1014 0.91 ( 1.6 10 19 1015 (c )零偏压下最大内建电场为 qNdXnk 0 「6 1019 1015 倔 10 4 1.67 104V/cm 11.8 8.854 10 14 2 - 5.若突变结两边的掺杂浓度为同一数量级，则自建电势和耗尽层宽度可用下式表示 2qNaNd(Xn 2 qNaNd(Xn Xp) 2K 0(Na Nd) Xn 2K 0 0Na qNa(Na Nd) XP 1 2 2K 0 0Nd qNa(Na Nd) 试推导这些表示式。 解：由泊松方程得: d2 p x dx d2 p x dx2 d2 n xdx2 积分一次得 qNak 0 qNd k 0 Xp Xn d p d p xdx Xp d n XdxqNj d n Xdx qNj 0 C2 Xn 由边界条件 d p x dx Xp qNak Xp 0 d n X dx Xi 所以 xpXPd xp XP d n Xdx qNdk 0 X Xn Xn 再积分一次得 qNa 2k o 2k 2 Xp 2 Xn Di D2 xp x 0 o x xn 令 得： p xp n Xn D1 0 0 0 D2 qNa 于是 2k 0 xp x 0 qNd 2k 0 2 Xn o x xn 再由电势的连续性，当 所以 q 2k aXp NdX； 再由 XP Xn 得 Xn NaXp NdXn XP Xp NaW Na Nd Ndw Na q2k 0 Nd NaN2 NdN；W2 Na Nd 2 qNa Nd Xn Xp 2k 0 Na Nd xpNa p a代入上式，得 Nd qNa 2k 0 0Nd Na Nd Xn 1 2k 0 °Na 2 qNd Na Nd 2 - 6 ?推导出线性缓变自建电势。 解：在线性缓变结中, PN结的下列表示式: （a）电场（b）电势分布（c）耗尽层宽度（d） 耗尽层内空间电荷分布可表示为 ddxqa 2x2k od-N d dx qa 2x 2k o 设 Xn Xp W ~2 由泊松方程得 d2 dx2 kq0ax积分为 =0,d_dx x W2qa8k o =0, d_ dx x W 2 qa 8k o 4x2 W2 max 2 2 4x W max