模拟电子技术(上篇).pdf

模拟电子技术上篇 **1.1 半导体二极管 **1.2 半导体三极管 1.3 场效应晶体管 （略） *1.4 模拟集成电路 结构与类型、伏安特性、主要参数、 等效模型、应用 1.1 半导体二极管 1.1.1 二极管的结构与类型 给PN结加上引线和封装，就成为一个二极管。 电路符号 常见外形 1.1.2 二极管的伏安特性与参数 1. 伏安特性曲线 关键词 ——死区、正向导通压降、反向电流IR 、反向击穿 1.1.2 二极管的伏安特性与参数 2. 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压UBR和最高反向工作电压URM (3) 反向电流IR(反向饱和电流IS ） 1.1.3 二极管的等效模型 1. 理想模型 2. 恒压降模型 （硅0.7V锗0.3V） 正偏短路 正偏短路+恒压降 反偏开路 反偏开路 1.1.4 特殊二极管 1. 稳压二极管 （略） 稳压管的稳压作用在于： 在反向击穿区内，反向电流有很大变化， 而稳压管两端的电压几乎保持不变。因此， 稳压管稳压工作时应工作在反向击穿区。 2. 发光二极管——简称LED （Light Emitting Diode） 反偏截止不发光，正偏导通时因流过 正向电流而发光，其颜色与发光二极管的 材料及掺杂元素有关。 1.1.4 特殊二极管 用发光二极管组成七段半导体数码管 + a a b a c d b f g b c e d f e e c f g d