二极管介绍与生产工艺.pptxVIP

;? US I. All rights reserved.;? USI. All rights reserved.;;;? US I. All rights reserved.;;;二极管构造分类;二极管构造分类;二极管构造分类;;;;二极管构造分类;? US I. All rights reserved.;.热氧化方法介绍;? US I. All rights reserved.;二极管构造分类;二极管构造分类;低压化学气相沉积多晶硅用硅烷（SiH4）沉积多晶硅，用纯氩或纯氮为稀释气体，高浓度硅烷易燃易爆不安全，已趋向采用低浓度SiH4沉积工艺，5%浓度SiH4较安全。沉积温度在600～700℃。以5%浓度SiH4为例，说明沉积过程中各参数的关系。;低压化学气相沉积氮化硅有三种工艺使用SiH4 、NH3及N2、使用SiH2Cl2和NH3、使用SiCl4和NH3;二极管构造分类;二极管构造分类;合金工艺介绍;合金工艺介绍;二极管构造分类;二极管构造分类;;二极管构造分类;二极管构造分类;二极管构造分类;;;;;? US I. All rights reserved.