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ASIC芯片开发过程;内容;主要流程框架; 划分; 划分;ASIC设计流程;ASIC开发流程中各步骤;传统设计流程;设计的一般步骤;设计的一般步骤(2);设计的一般步骤(3);规范和ＲＴＬ编码　;动态仿真;约束、综合和扫描插入;形式验证;静态时序分析;布局、布线和验证;内容;CYIT提供如下文件: GDSII文件，物理验证环境，物理验证报告 生产厂家进行Merg 生产厂家提供物理验证报告 CYIT确认和eviewjob;制造一块IC 芯片通常需要400 到500 道工序。但是概括起来说，它一般分为两大部分：前道工序（front-end production）和后道工序（back-end production）。 [1] 前道工序 (1) 将粗糙的硅矿石转变成高纯度的单晶硅。 (2) 在wafer 上制造各种IC 元件。 (3) 测试wafer 上的IC 芯片 [2] 后道工序 (1) 对wafer 划片（进行切割） (2) 对IC 芯片进行封装和测试 ;第一步硅棒的拉伸 将多晶硅熔解在石英炉中，然后依靠 一根石英棒慢慢的拉出纯净的单晶硅棒。 第二步切割单晶硅棒 用金刚石刀把单晶硅棒切成一定的厚度 形成WAFER（晶片、圆片）。 注：一片wafer上可以生产出很多颗裸芯片（die ）,一般都上千颗;前道工序;第五步覆上光刻胶 通过旋转离心力，均匀地在WAFER表面覆上一层光刻胶。 第六步 在WAFER 表面形成图案 通过光学掩模板和曝光技术在WAFER 表面形成图案。 第七步 蚀刻 使用蚀刻来移除相应的氧化层。 第八步 氧化、扩散、CVD 和注入离子 对WAFER 注入离子（磷、硼），然后进行高温扩散，形成各种集成器件。 第九步 磨平（CMP） 将WAFER 表面磨平。 ;前道工序;第十二步 切割WAFER 把芯片从WAFER 上切割下来。形成一颗颗die 第十三步 固定芯片 把芯片安置在特定的FRAME 上 ;第十三步连接管脚 用25 微米的纯金线将芯片和FRAME上的引脚连接起来。 第十三步封装 用陶瓷或树脂对芯片进行封装。 ;第十六步 修正和定型（分离和铸型） 把芯片和FRAME 导线分离，使芯片外部的导线形成一定的形状。 第十七步老化（温度电压）测试 在提高环境温度和芯片工作电压的情况下模拟芯片的老化过程，以去除发生早期故障的产品 第十八步成品检测及可靠性测试 进行电气特性检测以去除不合格的芯片 成品检测： 电气特性检测及外观检查 可靠性检测： 实际工作环境中的测试、长期工作的寿命测试 注： FT测试， final test，也叫成测（终测），是指封装过后的成品测试，测试项目主要也是针对器件功能，目的将封装后的不良品剔除。Chip 级 第十九步标记 在芯片上用激光打上产品名。