第1章-基本放大路.pptVIP

NPN型 PNP型 箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向 * 2021/9/12 1.4.2 电流分配和电流放大作用 （1）产生放大作用的条件 内部:a）发射区杂质浓度基区集电区 b）基区很薄 外部:发射结正偏,集电结反偏 （2）三极管内部载流子的传输过程 a）发射区向基区注入电子,形成发射极电流 iE b）电子在基区中的扩散与复合,形成基极电流 iB c）集电区收集扩散过来的电子,形成集电极电流 iC （3）电流分配关系: iE = iC + iB * 2021/9/12 实验表明IC比IB大数十至数百倍,因而有。IB虽然很小,但对IC有控制作用,IC随IB的改变而改变,即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化,表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用,这就是三极管的电流放大作用。 1.4.3 三极管的特性曲线 1．输入特性曲线 与二极管类似 * 2021/9/12 2．输出特性曲线 （1）放大区:发射极正向偏置,集电结反向偏置 （2）截止区:发射结反向偏置,集电结反向偏置 （3）饱和区:发射结正向偏置,集电结正向偏置 此时 * 2021/9/12 1.4.4 三极管的主要参数 1、电流放大系数β:iC= β iB 2、极间反向电流iCBO、iCEO:iCEO=（1+ β ）iCBO 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流 ICM:?下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。 （2）反向击穿电压U（BR）CEO:基极开路时,集电极、发射极间的最大允许电压。 （3）集电极最大允许功耗PCM 。 * 2021/9/12 1.5 场效应晶体管 1.5.1 绝缘栅型场效应管的结构 * 2021/9/12 耗尽型:UGS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。 增强型:UGS=0时漏、源极之间才能形成导电沟道。 无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管,都只有一种载流子导电,均为单极型电压控制器件。 MOS管的栅极电流几乎为零,输入电阻RGS很高 * 2021/9/12 1、N沟道耗尽型场效应管的特性曲线 耗尽型场效应管存在原始导电沟道,UGS=0时漏、源极之间就可以导电。这时在外加电压UDS作用下的漏极电流称为漏极饱和电流IDSS。UGS0时沟道内感应出的负电荷增多,沟道加宽,沟道电阻减小,ID增大。UGS0时会在沟道内产生出正电荷与原始负电荷复合,沟道变窄,沟道电阻增大,ID减小。UGS达到一定负值时,沟道内载流子全部复合耗尽,沟道被夹断,ID=0,这时的UGS称为夹断电压UGS(off)。 1.5.2 绝缘栅型场效应管的工作原理与特性曲线 * 2021/9/12 增强型场效应管不存在原始导电沟道, UGS=0时场效应管不能导通,ID=0 。 UGS0时会产生垂直于衬底表面的电场。P型衬底与绝缘层的界面将感应出负电荷层,UGS增加,负电荷数量增多,积累的负电荷足够多时,两个N+区沟通,形成导电沟道,漏、源极之间有ID出现。在一定的漏、源电压UDS下,使管子由不导通转为导通的临界栅、源电压称为开启电压UGS(th)。 UGS UGS(th)时,ID=0; UGS UGS(th)时,随UGS的增加ID增大。 2、N沟道增强型场效应管的特性曲线 * 2021/9/12 按场效应管的工作情况可将漏极特性曲线分为两个区域。在虚线左边的区域内,漏、源电压UDS相对较小,漏极电流ID随UDS的增加而增加,输出电阻ro较小,且可以通过改变栅、源电压UGS的大小来改变输出电阻ro的阻值,这一区域称为可变电阻区。在虚线右边的区域内,当栅、源电压UGS为常数时,漏极电流ID几乎不随漏、源电压UDS的变化而变化,特性曲线趋于与横轴平行,输出电阻ro很大,在栅、源电压UGS增大时,漏极电流ID随UGS线性增大,这一区域称为放大区。 综上所述,场效应管的漏极电流ID受栅、源电压UGS的控制,即ID随UGS的变化而变化,所以场效应管是一种电压控制器件。场效应管栅、源电压UGS对漏极ID控制作用的大小用跨导gm表示: * 2021/9/12 1.5.3 绝缘栅型场效应管的主要参数 * 2021/9/12 * 2021/9/12 电子技术基础 * 2021/9/12 第1章 半导体器件 学习要点 二极管的工作原理、伏安特性和主要参数 双极型三极管的放大作用、输入和输出特性曲线及主要参数 * 2021/9/12 1.1 PN结 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 双极型三极管 1.5 场效应晶体管 第1章 半导体器件 * 2021/9/12 1.1 PN结 半导体器件是用半导体材料制