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2021/9/12 * 形成发射区 光刻5#版(发射区版),利用光刻胶将基极接触孔保护起来,暴露出发射极和集电极接触孔 进行低能量、高剂量的砷离子注入,形成发射区和集电区 2021/9/12 * 金属化 淀积金属,一般是铝或Al-Si、Pt-Si合金等 光刻6#版(连线版),形成金属互连线 合金:使Al与接触孔中的硅形成良好的欧姆接触,一般是在450℃、N2-H2气氛下处理20～30分钟 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 光刻7#版(钝化版) 刻蚀氮化硅,形成钝化图形 2021/9/12 * 隔离技术 PN结隔离 场区隔离 绝缘介质隔离 沟槽隔离 2021/9/12 * PN结隔离工艺 2021/9/12 * 绝缘介质隔离工艺 2021/9/12 * LOCOS隔离工艺 2021/9/12 * LOCOS隔离工艺 2021/9/12 * 沟槽隔离工艺 2021/9/12 * 接触与互连 Al是目前集成电路工艺中最常用的金属互连材料, 但Al连线也存在一些比较严重的问题 电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等 Cu连线工艺有望从根本上解决该问题 IBM、Motorola等已经开发成功 目前,互连线已经占到芯片总面积的70～80%;且连线的宽度越来越窄,电流密度迅速增加 2021/9/12 * 几个概念 场区 有源区 栅结构材料 Al-二氧化硅结构 多晶硅-二氧化硅结