高电压气体放电的基本物理过程.pptVIP

2.2 放电的电子崩阶段 （一）非自持放电和自持放电的不同特点 * 第三十页，编辑于星期六：一点 五十八分。 高电压工程基础 非自持放电和自持放电的不同特点 电流随外施电压的提高而增大，因为带电质点向电极运动的速度加快复合率减小 电流饱和，带电质点全部进入电极，电流仅取决于外电离因素的强弱（良好的绝缘状态） 电流开始增大，由于电子碰撞电离引起的 电流急剧上升放电过程进入了一个新的阶段（击穿） 外施电压小于U0时的放电是非自持放电。电压到达U0后，电流剧增，间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再需要外电离因素。此时气隙转入良好的导电状态，即气体发生击穿了。 自持放电起始电压 * 第三十一页，编辑于星期六：一点 五十八分。 非自持放电 外施电压小于U0时，间隙内虽有电流，但其数值甚小，通常远小于微安级，因此气体本身的绝缘性能尚未被破坏，即间隙还未被击穿。而且这时电流要依靠外电离因素来维持，如果取消外电离因素，那么电流也将消失。 * 第三十二页，编辑于星期六：一点 五十八分。 自持放电 当电压达到U0后，气体中发生了强烈的电离，电流剧增。同时气体中电离过程只靠电场的作用已可自行维持，而不再继续需要外电离因素了。因此U0以后的放电形式也称为自持放电 * 第三十三页，编辑于星期六：一点 五十八分。 由非持放电转入自持放电的电压称为起始电压U0 如电场比较均匀，则间隙将被击穿，此后根据气压、外回路阻抗等条件形成辉光放电、火花放电或电弧放电，而起始电压U0也就是间隙的击穿电压Ub 如电场极不均匀，则当放电由非自持转入自持时，在大曲率电极表面电场集中的区域发生电晕放电，这时起始电压是间隙的电晕起始电压，而击穿电压可能比起始电压高很多 高电压工程基础 * 第三十四页，编辑于星期六：一点 五十八分。 二、电子崩的形成 汤逊放电理论(pd较小) 流注放电理论(pd较大) 这两种理论互相补充，可以说明广阔的pd（压强和极间距离的乘积）范围内气体放电的现象 两种理论有一个共同的基础，即图2-3中I-U曲线的BC段的电流增长是由电子碰撞电离形成电子崩的结果。 * 第三十五页，编辑于星期六：一点 五十八分。 1、电子崩的形成 （? 过程 ） 外界电离因子在阴极附近产生了一个初始电子，如果空间电场强度足够大，该电子在向阳极运动时就会引起碰撞电离，产生一个新的电子，初始电子和新电子继续向阳极运动，又会引起新的碰撞电离，产生更多电子 依此，电子将按照几何级数不断增多，类似雪崩似地发展，这种急剧增大的空间电子流被称为电子崩。 * 第三十六页，编辑于星期六：一点 五十八分。 高电压工程基础 电子碰撞电离系数α：代表一个电子沿电力线方向行经1cm时平均发生的碰撞电离次数。 * 第三十七页，编辑于星期六：一点 五十八分。 乘以电子的电荷 ，即得电流关系式： 上式表明：虽然电子崩电流按指数规律随极间距离d而增大，但这时放电还不能自持，因为一旦除去外界电离因子(令因为I0 = 0时I = 0)， 即I变为零。 式中， 高电压工程基础 * 第三十八页，编辑于星期六：一点 五十八分。 质点的平均自由行程 ?：一个质点在与气体分子相邻两次碰撞之间自由地通过的平均行程 电子在其自由行程内从外电场获得动能，能量除决定于电场强度外，还和其自由行程有关 高电压工程基础 三 碰撞电离系数 * 第三十九页，编辑于星期六：一点 五十八分。 气体中电子和离子的自由行程是它们和气体分子发生碰撞时的行程 电子的平均自由行程要比分子和离子的大得多 气体分子密度越大，其中质点的平均自由行程越小。对于同一种气体，其分子密度和该气体的密度成正比 高电压工程基础 质点的平均自由行程 三 碰撞电离系数 * 第四十页，编辑于星期六：一点 五十八分。 自由行程的分布： 具有统计性的规律。质点的自由行程大于x的概率为 如果起始有n0个质点（或一个质点的相继n0次碰撞），则其中行过距离x后，尚未被碰撞的质点数（或次数）n(x)应为 高电压工程基础 三 碰撞电离系数 质点的平均自由行程 * 第四十一页，编辑于星期六：一点 五十八分。 三 碰撞电离系数 1.设电子平均自由行程为λ，电子运动1cm距离内将与气体分子发生1/λ次碰撞。 2.设电子在均匀电场中行经距离x而未发生碰撞，则此时电子从电场获得的能量为eEx，电子如要能够引起碰撞电离，必须满足条件 3.只有那些自由行程超过xi的电子，才能与分子发生碰撞电离 ： * 第四十二页，编辑于星期六：一点 五十八分。 实际自由行程长度等于或大于xi的概率为 根据碰撞电离系数 的定义，即可得出： 1cm长度