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- 2021-10-05 发布于安徽
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电力电子学:2-电力电子开关器件(新)新
* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 图1-17 GTR的开通和关断过程电流波形 返回 * 图1-18 GTR的安全工作区 返回 * 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 内部结构断面示意图 电气图形符号 返回 * 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 转移特性 输出特性 返回 * 图1-21 电力MOSFET的开关过程 测试电路 开关过程波形 up—脉冲信号源,Rs—信号源内阻, 返回 RG—栅极电阻,RL—负载电阻,RF—检测漏极电流 * 图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 返回 内部结构断面 示意图 简化等 效电路 电气图形 符号 * 图1-23 IGBT的转移特性和输出特性 转移特性 输出特性 返回 * ?图1-24 IGBT的开关过程 返回 * 图1-25 光耦合器的类型及接法 普通型 高速型 高传输比型 返回 * 图1-26 理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t2?脉冲前沿上升时间(1?s) t1~t3?强脉冲宽度 IM?强脉冲幅值(3IGT~5IGT) t1~t4?脉冲宽度 I?脉冲平顶幅值(1.5IGT~2IGT) 返回 * 图1-27 常见的晶闸管触发电路 返回 * 图1-28 推荐的GTO门极电压电流波形 返回 * 图1-29 典型的直接耦合式GTO驱动电路 返回 * 图1-30 理想的GTR基极驱动电流波形 返回 * 图1-31 GTR的一种驱动电路 返回 * 图1-32 电力MOSFET的一种驱动电路 返回 * 图1-33 M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 返回 * 图1-34 过电压抑制措施及配置位置 F?避雷器 D?变压器静电屏蔽层 C?静电感应过电压抑制电容 RC1?阀侧浪涌过电压抑制用RC电路 RC2?阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路 RV?压敏电阻过电压抑制器 RC3?阀器件换相过电压抑制用RC电路 RC4?直流侧RC抑制电路 RCD?阀器件关断过电压抑制用RCD电路 返回 * 图1-35 RC过电压抑制电路联结方式 单相 三相 返回 * 图1-36 反向阻断式过电压抑制用RC电路 返回 * 图1-37 过电流保护措施及配置位置 返回 * 图1-38 di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形 电路 波形 返回 * 图1-39 关断时的负载线 返回 * 图1-40 另外两种常用的缓冲电路 放电阻止型 吸收电路 RC吸收电路 返回 * 图1-41 晶闸管的串联 伏安特性差异 串联均压措施 返回 * 图1-42 电力电子器件分类“树” * * * * * * * 1.7.2 过电流保护 快速熔断器 电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施 选择快熔时应考虑: (1)电压等级根据熔断后快熔实际承受的电压确定 (2)电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定 (3)快熔的I 2t值应小于被保护器件的允许I 2t值 ■ * 1.7.2 过电流保护 (4)为保证熔体在正常过载情况下不熔化,应考虑其时间?电流特性 快熔对器件的保护方式:全保护和短路保护两种 全保护:过载、短路均由快熔进行保护,适用于小功率装置或器件裕度较大的场合 短路保护方式:快熔只在短路电流较大的区域起保护作用 对重要的且易发生短路的晶闸管设备,或全控型器件(很难用快熔保护),需采用电子电路进行过电流保护 常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节,响应最快 ■ * 1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit) ? 缓冲电路(吸收电路):抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt,减小器件的开关损耗 关
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