电力电子技术课件：第2章 电力电子器件.pptVIP

*/89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ?输出特性（伏安特性） √描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。 √分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。 √当UCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。 √在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。 (b) 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 b) 输出特性 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆动态特性 ?开通过程 √开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间ton= td(on)+tr+ tfv √tfv分为tfv1和tfv2两段。 ?关断过程 √关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间toff = td(off) +trv+tfi √tfi分为tfi1和tfi2两段 ?引入了少子储存现象，因而 IGBT的开关速度要低于电力 MOSFET。 图2-25 IGBT的开关过程 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的主要参数 ◆前面提到的各参数。 ◆最大集射极间电压UCES ?由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。 ◆最大集电极电流 ?包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。 ◆最大集电极功耗PCM ?在正常工作温度下允许的最大耗散功率。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的特性和参数特点可以总结如下： ?开关速度高，开关损耗小。 ?在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的能力。 ?通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。 ?输入阻抗高，其输入特性与电力MOSFET类似。 ?与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆ IGBT的安全工作区 ?正向偏置安全工作区（Forward Biased Safe Operating Area——FBSOA） √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 ?反向偏置安全工作区（Reverse Biased Safe Operating Area——RBSOA） √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率dUCE/dt。 */89 2.5 其他新型电力电子器件 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT 2.5.2 静电感应晶体管SIT 2.5.3 静电感应晶闸管SITH 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 2.5.5 基于宽禁带半导体材料的电力电子器件 略 */89 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT ■MCT（MOS Controlled Thyristor）是将 MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。 ■结合了MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、 快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通 压降的特点。 ■由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为： 一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的 MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 ■其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量 都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。 */89 2.5.2 静电感应晶体管SIT ■是一种结型场效应晶体管。 ■是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相 当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力 MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。 ■栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断， 这被称为正常导通型器件，使用不太方便，此外SIT通态电 阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电 子设备中得到广泛应用。 */89 2.5.3 静电感应晶闸管SITH ■可以看作是SIT与GTO复合而成。 ■又被称为场控晶闸管（Field Controlled Thyristor——FCT），本质上是两种载流子导电 的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、 通流能力强。 ■其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高 得多，是大容量的快速器件。 ■一般也是正常导通型，但也有正常关断型 ，电 流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。 */89 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT ■是将一个