4第四章电磁场中的输运现象.pptxVIP

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2021-10-02 发布于北京
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4第四章电磁场中的输运现象.pptx

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Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics;(1) 本征半导体 ;杂质离化区过渡区高温本征激发区电离度增加晶格散射增加载流子数目增加;● 杂质离化区 ; ● 饱和区; ● 本征区;2.对于搀杂浓度较高的半导体,;例; Semiconductor Physics;霍尔效应; Semiconductor Physics;;电场力：fε=qEx;;;P型半导体 x方向施加电场Ex，电流密度为Jx, z方向施加磁场Bz y方向产生的电场Ey为：;;对P型半导体：;; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics;;霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度，与载流材料的物理性质和几何尺寸有关；灵敏度kH与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度, 霍尔元件常制成薄片形状。薄膜霍尔元件厚度只有1μm左右。; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics;霍尔角（q）：横向霍尔电场的存在说明，在有垂直磁场时，电场和电流不在同一方向，两者之间的夹角称为霍尔角。 ; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics; Semiconductor Physics;霍尔传感器 ;c;基本电路