chapter4b位错基本概念.pptxVIP

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材料科学根底 Fundamentals for Materials Science;4.3 位错 Dislocation;位错 Dislocations;Dislocation loops produced by vacancy precipitation in germanium. Thin-foil electron micrograph. 60,000×. ;电子显微镜下的位错;Semicoherent interface between Ag-richen and Cu-richen phases;位错理论的开展;;;位错〔Dislocation〕理论的开展;;4.3.1. 位错的根本类型和特征;1. 刃型位错 edge dislocation;刃型位错的特点:;刃型位错的特点:;C. 滑移面是同时包含位错线和滑移 矢量的平面,刃型位错的位错线和滑移矢量相互垂直,一个刃型位错所构成的滑移平面只有一个;; D. ??错的存在使得位错周围的点阵发生弹性畸变。对正刃型位错而言,位错线上、下部临近范围内原子受到压应力、拉应力, 离位错线较远处原子排列恢复正常。 E. 在位错线周围的畸变区内,每个原子具有较大的平均能量。这个地域只有几个原子间距宽,是狭长的管道,所以刃型位错是线缺陷。;B. 螺型位错 screw dislocation;螺型位错的特点:;典型特征 C. 螺型位错的位错线与滑移矢量平行,肯定是直线;位错线的移动方向与晶体滑移方向相互垂直; D. 纯螺型位错的滑移面不是唯一〔滑移面=l×b〕的;凡包含位错线的平面都可作为滑移面;一般,滑移面是原子密排面; E. 螺型位错周围的点阵发生弹性畸变,只有平行于位错线的切应变,无正应变,所以不会引起体积膨胀和收缩。;;F. 螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少,故也是几个原子宽度的线缺陷。;C. 混合位错 mixed dislocation;全部位错的共同特征

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