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复习题 模拟电子技术 （ ）1．当 P 型半导体和 N 型半导体紧密接触时，在 P 型和 N 型半导体交界处会形成一 个区域，下列的哪种名称 不能 描述该区域。 A ．耗尽层 B ．空间电荷区 C ．突变层 （ ）2．若场效应管的偏置电压 V GSQ =1V ，则该管 不可能 是一个 ____ 。 A ．P 沟道结型管 B ．N 沟道结型管 C ．N 沟道增强型 MOS 管 （ ）3．电路如右图所示，晶体管处于 ____ 。 A ．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态 （ ）4 ．若用万用表测二极管的正、 反向电阻的方法来 判断二极管的好坏，好的管子应为 ____ 。 A ．正、反向电阻相等 B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍 （ ）5．差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 。 A ．差 B．和 C ．平均值 （ ）6．在直流稳压电源中， 稳压电路的作用是减少或克服由于 ____ 。 A ．半导体器件特性的变化而引起的输出电压不稳定 B ．环境温度的变化而引起的输出电压不稳定 C ．交流电源电压的波动和负载电流的变化而引起的输出电压不稳定 （ ）7．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ____ 。 A ．半导体管极间电容和分布电容的存在 B ．半导体管的非线性特性 C ．放大电路的静态工作点不合适 （ ）8．集成运放的输入级采用差分放大电路是为了 ____ 。 A ．减小温漂 B ．增大放大倍数 C ．提高输入电阻 （ ）9．要得到一个由电流控制的电压源，应选 ____ 负反馈形式。 A ．电压串联 B ．电压并联 C．电流串联 （ ）10．需设计一只单级晶体管放大器，要求输入电阻很大，输出电阻小，应选择 ____ 。 A ．共射放大 B ．共基放大 C．共集放大 11．试判断下图所示电路的反馈类型。 12． 如下图所示为一增益线性调节运放电路，试求出该电路的电压增益Ａ Ｖ 的表达式。 (8 分) 13．射极偏置电路如下图所示，已知 β=60 。(1)用估算法求Ｑ点； (2) 求输入电阻 rbe ；(3) 用 小信号模型分析法求电压增益Ａ v ；(4) 电路其他参数不变，如果要使 V CEQ =4V ，问上偏流电 阻为多大？ (14 分 ) 2 14．电路如下图所示，试在深度负反馈的条件下，近似计算它的闭环增益和闭环电压增益。 (8 分) 数字电子技术 1.在题 11 图的逻辑符号中，能实现 F= 逻辑功能的是 ( ) 、A 、A 、G 、 2.74LS138 的逻辑符号如题 12 图所示， 若要求 输出为零，那么对应的 A 2 1 0 1 、 的逻辑电平应为 ( ) A. B.