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铝背场烧结工艺研究 【摘 要】在商业化晶体硅太阳电池制造技术中，广泛采用丝网印刷铝浆烧 结工艺制备铝背场。铝浆经过烧结与衬底硅材料发生共溶合金后，形成 p+冶金 结，即背面场。 本文研究了铝浆烧结工艺的优化， 以及优化后铝背场对晶体硅太 阳电池的影响。 【关键词】铝浆；烧结工艺；背场 引言 在晶体硅太阳电池的制作过程中， 电池制造产线提升电池开路电压的主要有 PECVD 的钝化 [1] 以及铝背场优化。然而对 PECVD 钝化以及铝浆质量研究文献 已经很多并且工艺也相当成熟。相反对铝浆 [2]烧结工艺深入的研究较少。本文 主要研究烧结如何影响铝背场的质量进而影响太阳电池的转化效率。 铝浆不但在在背场中起 P+结[3] 的作用，好的烧结工艺可以提升其吸杂 [4]作 用，形成良好的铝硅合金层，并且背场铝浆颗粒小而均匀。这样的 BSF 有利于 提升电池片的开路电压、 短路电流、 降低串联电阻进而提升填充因子， 最终大大 提升电池片的转化效率。 1 实验 选取 156*156 多晶硅片 2000 片，其电阻率 1～3 Ω·cm，厚度 200?m，按照先 后顺序进行制绒、扩散、去 PSG、PECVD 、印刷、烧结、测试。其中在烧结时 将 2000 片均分为 A 、B 两组， A 组采用新工艺， B 组采用常规工艺。烧结炉温 度曲线采用 Temperature curve analyzer A600S设备测量， QE 曲线采用 QEX7 设 备测量，铝背场采用扫描电子显微镜（ SEM ）测量。 2 结果与讨论 2.1 烧结曲线对比 从烧结曲线可以明显看出采用新工艺 （加长铝硅合金温度）后，烧结炉温度 曲线有明显的 Shadow，该区域正好是铝硅的合金温度（ 577℃）的过渡区，该 Shadow 不但有利于形成铝硅合金层，略低于铝硅共熔温度将更有利于烧结时将 铝浆颗粒变小变均匀。 2.2 太阳电池电性能数据 从实验数据可以看出，采用恒温烧结工艺后，电池片的开路电压提升 1mV ， 电流有小幅提升， 并且电池片的串联电阻有所下降， 最终电池片的转化效率提升 0.1%。