晶体硅烧结的调节研究.pdfVIP

晶体硅烧结的调节研究 丝网 ED~U ／快速烧结工艺是当今工业化大规模生产晶体畦太阳 电池普遍应用的成熟的金属化技术。快速烧结工艺是将 EDBU 在电 池片的正面电极， 背面电极以及背面场集中在一起通过快速烧结炉烧 结完成其表面电接触。 其工艺的基本设备为温度精确控制的快速烧结 炉(温度上升速度 20~C ／s)，快速烧结理论在许多文献中有较详尽的 描述。但是，工艺简单。生产成本低、便于大规模生产的丝网印 IUI 烧结工艺。所形成的金属一半导体接触电阻值却是光刻镀膜形成电极 接触电阻的两个数量级。本文通过调节烧结工艺实验，使铝背面场、 背面电极和正面电极厚膜欧姆接触的导电特性得以优化。 1 烧结工艺过程 快速烧结工艺一般包含四个阶段即： 1．燃烧有机物阶段； 2．升温阶段； 3．峰值温度区间； 4．降温阶段。 燃烧有机物阶段的烧结温度一般设置在 300qc 左右。如果温度设置 过高，则浆料中的有机物挥发速度过快， 会造成金属颗粒之间疏松孔 隙过多过大，使烧结后金属层内部以及金属一半导体接触之间的电阻 过大；如果温度设置过低， 会导致有机物燃烧不完全， 也会带来同样 的问题。升温过程需要考虑的主要是对铝背面背面电极的烧结要有足 够的温度和足够的时间。 升温过程 o2 一 A 为迅速升温烧结工艺曲线 峰值温度区间要注意的就是峰值温度的设定。 峰值温度决定了烧结过程中银铝合金、硅铝合金当中金属原子的浓 度．峰值温匿对正面银电极和铝背场以及背面电极的烧结和电池片串 联电阻和填充因子的影响都非常大。 如果峰值温度设置过高， 则会使 正面电极烧穿， 使串联电阻和填充因子下降， 效率显著降低。 降温阶 段要求匀速连续，不能有较大幅度的温 度梯度变化，但也有在特殊的峰值温度后加上一个退火过程 (如图 2-A) 此种烧结工艺据介绍对峰值温度设定过高而造成的过烧结具有很好 的改善作用。 2 实验过程 2．I 实验材料的准备 2．1．I 选择材料。实验材料选择电阻率在 O ．5~3fl ·am，尺寸为 125mmx125mm，厚度为 270+30um 的太阳能级直拉单晶硅片。 2．1_2 制绒。采用标准碱腐蚀单晶绒面工艺，出绒率在 95 ％以上。 2．1．3 扩散。选择单面扩散工艺，扩散后方块电阻为 45~5fl；少数载流子寿命在 9~13~s之间。 2．1．4 镀减反射涂层。 采用等离子体增强化学气相沉积氮化硅层工 艺形成表面减反射涂层，其厚度在 80rim 左右。 2．1．5 印刷电极。采用标准丝网印刷铝背面场，背面银铝电极和正 面印刷银电极工业化生产流程。 其中正面电极为 45 条 175um宽栅线， 2 条 1．8mm 宽的 主线；背面场电阻率为 4～6x10-Tfl ·em。 2．1．6 烧结。实验选用的是 FERRO 33462 银浆； FERRO 3398 银铝浆； FERRO CN 53 — 102 铝浆；采 用九温区快速烧结炉。 根据浆料厂商推荐的烧结工艺条件以及本次实 验的工艺特点，我们以图 2 一 B 作为基础调节烧结工艺。 把实验片分成 6 组烧结，每组 20 片。 2．2 试验设计 在烧结温度调节过程中，通常是根据相关资料 设定各温区的初始值。然后在其他温区温度不变的 情况下，调解某一温区温度，找到其上极限值和下极 限值。在该温区温度取相对理想数值后，再调节其他 温区。这样依次调节各温