晶体硅太阳电池的基本原理和制造工艺流程.pdfVIP

第一章 晶体硅太阳电池的基本原理和制造工艺流程 晶体硅太阳电池已经成为当今光伏工业的主流，随着单晶硅、多晶硅太阳电池工厂的新近投资， 这种作用还将持续下去 [1] 。从 1954 年 Chapin ，Fuller 和 Pearson 研制成功硅 PN 结太阳电池以来，这一 利用 p- n 结光伏效应工作的器件经过半个世纪的改进和演变，发展成为具有多种几何结构和相应的制 造流程的一类太阳电池产品。到目前为止，尽管被称为“第二代光伏器件”的薄膜太阳（ CdTe 、 CIS 、非晶硅、微晶硅、多晶硅、硅 - 锗合金）电池也取得了进展，但在短期内仍然无法替代晶体硅太 阳电池。 关于太阳电池的基本特性， Hovel 已作出了全面的论述 [2] 。我们按照太阳电池的器件结构、硅 p- n 结太阳电池的基本工作原理到一般的制造工艺流程的顺序进行介绍。 1. 晶体硅太阳电池的器件结构 晶体硅太阳电池的基本结构见图 1. ，它由扩散法在表面形成的浅 PN 结，正面欧姆接触栅格电 极，覆盖于整个背面的欧姆接触电极以及正面减反射膜构成。 图 1. 硅 PN 结太阳电池基本结构 图 2. PERT 太阳电池结构 高效率晶体硅太阳电池则有着更为复杂的结构和制造流程，如钝化发射极太阳电池 PESC (passivated emitter solar cell) ，钝化发射极和背面太阳电池 PERC (passivated emitter and rear cell) ，钝化 发射结背面点接触太阳电池 PERL (passivated emitter, rear locally-diffused) cells ，钝化发射极背面全扩散 太阳电池 PERT (passivated emitter, rear totally-diffused) cells ，具有本征层的 (a-Si)/ (c-Si) 异质结太阳电池 TM + (HIT 电池) ，倾斜蒸发电极 MIS-n p 太阳电池 OECO （obliquely-evaporated-contact ），V 型机械刻槽埋 栅电极太阳电池 (Buried Contact Solar Cell with V-grooved surface) ，背面接触电极太阳电池 (Backside Contact Solar Cell) 等等。这些高效率晶体硅太阳电池，主要特点是充分考虑到引起光电转换效率损失 的因素，在器件结构上进行了仔细的设计。图 2. 、 图3. 所示分别为 PERT太阳电池、 PERL太阳电池结 构。 图3. PERL 太阳电池结构 图4.丝网印刷电极太阳电池结构 1 目前商业化生产的大多数晶体硅太阳电池，采用 1970 年代开发出的丝网印刷电极结构，见图 4 。 这种结构的太阳电池具有制造过程简单，设备产能较高的优点。 缺点是采用丝网印刷的正面电极在解 决金属 — 半导体接触电阻和 PN 结的光电特性以及遮光问题之间不能令人满意 。 激光刻槽埋栅电极太阳电池，见图 5 ，是澳大利亚新南威尔士大学光伏研究中心 Martin A. Green教授及其研究团组，在 1980 年代将实验室高效晶体硅太阳电池技术低成本应用于商业生产的 一个范例。这种太阳电池的优点是正面兼有轻掺杂的受光区域和重掺杂的电极接触区域（激光刻 槽），因此，在改善金属 — 半导体接触电阻时，不必牺牲正面受光区域的 PN 结光电特性，同时可以 最大限度地减小电极的遮光面积。缺点是设备产能较低。 图 3. 激光刻槽埋栅电极太阳电池结构