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晶硅太阳能电池片弯曲研究进展 摘要 :本文在介绍铝背场形成过程以及铝背场结构的基础上 ,阐述 了丝网印刷晶硅太阳电池弯曲度产生的原因 ,介绍了目前国内外解决 晶硅太阳电池弯曲的几种方法 ,最后提出改变浆料成分是解决弯曲的 最佳方法。 关键词 :晶硅电池 铝背场 弯曲 Research Progress in the Bow of Silicon Solar Cells Abstract:On the base of introducing the froming progress and structure of Aluminum back surface field, the producing cause of screen-printing crystalline silicon solar cell ’ s bending strength is introduced. Home and abroad several methods that can be used to solve crystalline silicon solar cell ’s bending strength are referred.Paper put forward the best method that changing composition of slurry can solve bending strength. Key Words:Silicon solar cell;Aluminum Back Surface Field;Bow 目前,晶体硅仍然是最主要的太阳电池材料 ,市场份额约占 85 ％以 上。晶硅电池生产成本的 30％以上来自于硅材料 ,减薄硅片是电池生 产厂商降低生产成本的主要手段之一 [1] 。硅片的厚度从最初的 260 μm 微米到现在的 180μm,并且向 150μm甚至更薄化方向发展。在晶硅电 池中少数载流子的扩散长度大于硅片厚度 ,因而电池上下表面的复合 速率对效率的影响就显得尤为重要。 为降低表面复合速率、 改善表面 钝化的质量 ,通常采用在晶硅电池背面印刷铝背场。铝背场能够有效 降低电池背表面复合速率 ,提高电池转换效率。 由于硅片减薄 ,电池片在烧结过程中 ,极易发生弯曲 ,而弯曲的电 池片在后续工序中容易破碎 ,降低成品率 ,增加电池生产成本 [2] 。因此, 减小薄片晶硅太阳电池弯曲度已经成为太阳电池发展急需解决的问 题。 1 铝背场的形成过程 晶硅太阳电池在烧结过程中依次经历三个区域 ,即烘干区、烧结 区和冷却区。在经过这三个区域过程中 ,铝背场的形成大致可以分成 如下六个阶段 [3] 。 2 弯曲形成的原因 晶硅电池片弯曲形成的主要原因在于铝硅线膨胀系数远远大于 硅线膨胀系数 ,铝硅的线膨胀系数 23×10-6k-1,硅的线膨胀系数只有 3.5 ×10-6k-1[4], 随着温度的降低 ,铝硅的收缩远远大于硅片的收缩 ,使 硅片表面承受一种压应力 ,从而产生弯曲。而弯曲的形成时间是在凝 固阶段以后产生的 ,因为 ,在凝固阶段以前 ,晶体硅片基体上的铝硅合 金处于液体状态 ,因温度下降引起的铝硅基体和硅基体收缩差异形成 的切应力难以在硅片表面加载