高效晶体硅太阳能电池背场钝化技术.pdfVIP

高效晶体硅太阳能电池 作者： S.W. Glunz ， Fraunhofer Institute of Solar Energy System 如今的晶体硅光伏组件的成本分布主要是材料成本，特别是硅片成本。因此，采用更薄的硅片以及增加电 池的转换效率引起了光伏业界的广泛兴趣。 表面钝化 电介质钝化与背表面场 所有转换效率大于 20% 的电池结构都具有电介质层的钝化表面。然而，目前业界的晶体硅太阳能电池的表 面结构多采用的是丝网印刷和热场 Al 背表面场（ Al-BSF ）。它有两个主要的限制：由烧结工艺带来的硅片 弯曲；更低的电学和光学特性。特别是， Sback 、背表面再复合速率是关键的参数，但是在文献中却有着 大量的数值。这使得衡量 Al-BSF 的潜力与电介质钝化变得很困难。 我们对不同的背表面结构并结合高效前表面结构进行了实验。这将有可能准确的确定表面的再复合速率、 Sback 以及内部反射率 Rback 。 图 1 表示了不同背表面结构的内部量子效率，从低质量的欧姆 Al 接触开始一直到 PERL/LBSF 背表面。有 效的 Sback 和 Rback 已经从 IQE 和反射率测量中去除。 采用这些参数就有可能确定不同背表面结构对太阳能电池性能的影响（图 2 ）。电介质钝化甚至比高质量 的发射极和更薄的硅片带来的好处更多。 电介质层的钝化机理 良好的表面钝化有两种不同的机理：交界面状态 Dit 的降低；场效应钝化，即钝化层中一种载子类型与固 定电荷 Qf 结合时的显著降低。尽管这些机理或两种机理的结合会导致较低的表面再复合速率， Seff( Δn)曲 线显示了不同的特性（图 3 ）。热生长的 SiO2 层更容易获得交界面状态的降低，而对于 PECVD 沉积的薄 膜，如 SiNx ，场效应钝化和中等程度的 Dit 降低则更为常见。 SiO2 的 Dit=1010cm2eV-1 ，Qf=1010cm2 。 而 SiNx 的 Dit=1011cm2eV-1 ，Qf=1011cm2 。 沉积温度 形成电介质钝化层的一个关键问题是沉积温度。目前为止，最好的电池钝化是热生长的氧化层。热氧化物 在过去的几十年里，已经为 MOS 技术进行了大量的优化。因此，已经可以获得极低的界面状态密度和表 面再复合速率。 最终， 典型的热氧化物温度是 1050 ℃左右。 对于高质量的 FZ-Si 来说，温度范围没有问题， 甚至增加了 Czochralski 法生长的氧化物的少子寿命，但对于铸锭多晶硅却是有害的。对于这样的材料， 少子寿命将会以因子为 10 的速度减少。 因此， 需要找到能够在更低的温度沉积钝化层的方法。 热氧化物可 以在潮湿的氛围内在 850 ℃左右生长。潮湿的环境显著的增加了氧化速度，可以在合理的时间内获得典型 的厚度为 105nm 的氧化层。 这种方法已被应用于多晶硅， 并实际测得转换效率 20.3% 。这些电池的平均效 率高于 18% ，表明低质量的区域经过该种处理并没有情况恶化。另一种有意思的方法是在 850 ℃在干燥氛 围内沉积一层薄的氧化层。该较薄的氧化层上必须再沉积一层薄膜。 沉积 PECVD SiNx 是第二种最佳方案。最佳的沉积温度范围是 350°到 400 ℃。实现了低于 10cm/s 的最佳 表面再复合速度。 SiNx 的另一优势是它和氢结合在一起可以起到多晶硅钝化层的作用。取代 PECVD 的最 快的方案是溅射，采用该方案可以会的低于 30cm/s 的最佳表面再复合速度。 如果非晶硅被用作背面钝化层，那么最低的沉积温度范围是 200 ℃到 250 ℃。这种钝化结构已经成功的应 用在 HIT 上，并获得了 21% 的转换效率。最近的研究结果表明，非晶硅也可以用于具有扩散发射极的标准 电池结构上，转换效率可以超过