从特性曲线分析烧结工艺条件.pdfVIP

摘要： 本文通过研究太阳电池的性能与烧结温度和带速的关系，利用太阳电池单片测试仪， 测试太阳电池的 I-V 特性曲线并对其进行分析。 研究了太阳电池的串并联电阻与烧结条件的 各个温度段的温度相关； 获得了一些结果： 串联电阻与低温阶段的烧结条件有关， 并联电阻 受到高温区温度和烧结时间（带速） 的严重影响。通过以上关系对烧结工艺优化调整后， 获 得了较好性能的太阳电池。 给出了太阳电池烧结工艺的调整方法， 对太阳电池的生产具有一 定的指导意义。 关键词： 太阳电池；串联电阻；并联电阻；烧结工艺条件 0 引言 太阳电池是将太阳能转换成电能的基础器件， 常规的硅太阳电池片制备工艺流程为： 化 学清洗抛光→绒面制作→磷扩散→等离子刻蚀去周边→去磷硅玻璃→镀减反射膜→丝网印 刷电极→烧结→性能测试。 其中烧结是太阳电池制备的关键工艺之一。 烧结的好坏影响着串 并联电阻和填充因子，进而影响太阳电池的效率；况且前面某些步骤出现问题还可以返工， 而这一步操作一旦完成太阳电池的性能就无法再改变， 所以这一步工艺的好坏最终决定着整 个工艺的好坏。 决定烧结工艺条件的因素有扩散的结深、 烧结温度、 烧结时间以及所使用的 浆料型号等。由于现在很多光伏厂家所使用的设备型号、 性能、电极浆料等都不一样， 所以 有不同的烧结条件， 这都需要各个厂家对工艺条件进行研究和总结， 获得适合于自己生产线 的工艺条件。 本文通过分析不同的烧结工艺下太阳电池的 I-V 特性曲线， 得到串联电阻与烧 结条件的各个温度段的温度相关，并联电阻受到高温区温度和烧结时间 （带速）的影响，对 硅太阳电池烧结工艺的优化有一定的指导意义。 1 实验 1.1 实验原理 由相关资料可知：铝 -硅合金最低共熔点温度为 577.2 ℃，银 -铝合金最低共熔点温度为 567 ℃。在烧结背面铝背场时，如果温度达到 577 ℃，铝和硅很快就形成合金，而使得背面 因扩散而形成的 N 型层得到杂质补偿，同时银 - 铝也合金化，形成背电极的欧姆接触。而当 温度逐渐降低后， 硅铝合金中的一部分铝会因饱和而析出来， 剩下的铝则使得硅形成高掺杂 的 P+ 层，在电池的背面形成 P+/P 高低结，产生铝背场结构 (BSF) 。但正面银电极的烧结却 相对比较困难， 因为烧结温度过低， 银电极栅线与硅片结合不牢， 串联电阻增大。 烧结温度 过高，虽然牢固度增加，但可能会将正面 P-N 结烧穿，使得太阳电池的并联电阻变小，电 性能变坏，甚至使太阳电池失效。银 -硅合金最低共熔点温度为 830 ℃，但适宜的烧结温度 需要由实验决定。 链式烧结炉中的常规烧结曲线如图 5 所示，温度分布通常可以分为四个区 域：烘干区域（温度在 200-500 ℃） ,背面电极的烧结区域（温度在 500-650 ℃），正面银 电极的烧结区域（温度在 650-780 ℃），冷却硅片的降温区域（温度自然降低）。 烧结过程中， 传送网带的速度与恒温区温度应很好匹配， 以保证有适当的恒温时间使得 硅片和金属电极之间温度达到平衡， 同时保证金属电极的牢固度。 但转送网带的速度也不能 太慢，以避免硅片在高温的时间过长，而增加正面