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- 2021-10-08 发布于江苏
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DOI :10 . 13290 /j . cnki. bdtjs. 20 14 . 0 1. 0 14
TSV 3 D Cu/ Sn
含 结构的 封装多层堆叠 键合技术
1 1 1,2 1,2
, , ,
吕亚平 刘孝刚 陈明祥 刘胜
(1. , 430074 ;
华中科技大学机械科学与工程学院 武汉
2 . MOEMS , 430074 )
武汉光电国家实验室 研究部 武汉
: Cu / Sn (TSV) 。
摘要 研究了利用 对含硅通孔 结构的 多层芯片堆叠键合技术 采用刻蚀和电
, TSV , (SEM) TSV
镀等工艺 制备 出含 结构的待键合 芯片 采 用扫描 电子显微镜 对 形貌和填充
效果进行 了分析 。研究了 Cu / Sn 低温键合机理 ,对其 工 艺进行 了优化 ,得 到键 合 温度 280 ℃ 、
键合时 间 30 s 、退火温度 260 ℃ 和退火 时间 10 min 的最佳工艺条件 。最后重点分析 了多层堆 叠
Cu / Sn 键合技术 ,采用能谱仪 (EDS)分析确定键合层 中 Cu 和 Sn 的原子数 比例 。研究了 Cu 层
和 Sn 层厚度对堆叠键合过程的影响 ,获得了 10 层芯片堆叠键合样品。采用拉 力测试仪和四探针
法分别测试 了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试 ,结果表明键合
质量满足含 TSV 结构的三维封装要 求。
: ; (TSV);Cu / Sn ; ;
关键词 三维封装 硅通孔 低温键合 多层堆叠 系统封装
中图分类号:TN405. 97 文献标识码:A 文章编号:1003 - 353X (20 14 )0 1 - 0064 - 07
Multilayer Stack Cu / Sn Bonding Technology for 3D Packaging with TSV
1 1 1 ,2 1,2
Lü Yaping ,Liu Xiaogang ,Chen Mingxiang ,Liu Sheng
(1. School of Mechanical Science and Engineering ,H
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