双阱CMOS工艺制造流程;完整的晶片;1-N阱(N-Well);1-N阱(N-Well);1-N阱(N-Well);2-P阱(P-Well);2-P阱(P-Well);2-P阱(P-Well);2-P阱(P-Well);3-有源区(Active);3-有源区(Active);3-有源区(Active);3-有源区(Active);3-有源区(Active);4-栅(Gate);4-栅(Gate);4-栅(Gate);4-栅(Gate);5-pmos的源/漏 (pmos Source/Drain);5-pmos的源/漏 (pmos Source/Drain);5-pmos的源/漏 (pmos Source/Drain);6-nmos的源/漏 (nmos Source/Drain);6-nmos的源/漏 (nmos Source/Drain);6-nmos的源/漏 (nmos Source/Drain);7-接触孔 (Contact);7-接触孔 (Contact);7-接触孔 (Contact);7-接触孔 (Contact);8-金属1 (Metal 1);8-金属1 (Metal 1);8-金属1 (Metal 1);8-金属1 (Metal 1);9-通孔1 (Via1);9-通孔1 (Via1);9-通孔1 (Via1);9-通孔1 (Via1);10-金属2 (Metal 2);10-金属2 (Metal 2);10-金属2 (Metal 2);10-金属2 (Metal 2);
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