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半导体制造技术复习总结 半导体制造技术复习总结 PAGE PAGE 14 半导体制造技术复习总结 半导体制造技术复习总结 第一章 半导体产业介绍 1、集成电路制造的不同阶段：硅片制备、硅片制造、硅片测试/拣选、装配与封装、终测； 2、硅片制造：清洗、成膜、光刻、刻蚀、掺杂； 3、半导体趋势：提高芯片性能、提高芯片可靠性、降低芯片价格； 4、摩尔定律：一个芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一倍。 5、半导体趋势： ①提高芯片性能：a关键尺寸（CD）－等比例缩小（Scale down) b每块芯片上的元件数－更多 c 功耗－更小 ②提高芯片可靠性： a无颗粒净化间的使用 b控制化学试剂纯度 c分析制造工艺 d硅片检测和微芯片测试 e芯片制造商成立联盟以提高系统可靠性 ③降低芯片价格：年下降1亿倍 b减少特征尺寸＋增加硅片直径 c半导体市场的大幅度增长（规模经济） 第二章 半导体材料特性 6、最常见、最重要半导体材料－硅：a.硅的丰裕度 b.更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 c.更宽的工作温度范围 d.氧化硅的自然生成 7、GaAs的优点：a.比硅更高的电子迁移率; b.减少寄生电容和信号损耗; c.集成电路的速度比硅制成的电路更快; d.材料电阻率更大，在GaAs衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失；e.比硅有更高的抗辐射性能。 GaAs的缺点： a.缺乏天然氧化物；b.材料的脆性； c.由于镓的相对匮乏和提纯工艺中的能量消耗，GaAs的成本相当于硅的10倍； d.砷的剧毒性需要在设备、工艺和废物清除设施中特别控制。 第三章 器件技术 8、等比例缩小:所有尺寸和电压都必须在通过设计模型应用时统一缩小。 第四章 硅和硅片制备 9、用来做芯片的高纯硅称为半导体级硅(semiconductor-grade silicon, SGS)或电子级硅 西门子工艺：1.用碳加热硅石来制备冶金级硅 SiC(s)+SiO2(s) Si(l)+SIO(g)+CO(g) 2.将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g) 3.通过三氯硅烷和氢气反应来生成SGS SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g) 10、单晶硅生长：把多晶块转变成一个大单晶，并给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。 a.直拉法(Czochralski) 特点：工艺成熟，能较好地拉制低位错、大直径的硅单晶。 缺点：难以避免来自石英坩埚和加热装置的杂质污染。 b.区熔法：主要用来生长低氧含量的晶体，但不能生长大直径的单晶，并且晶体有较高的位错密度。这种工艺生长的单晶主要使用在高功率的晶闸管和整流器上 c.液体掩盖直拉法：此方法主要用来生长砷化镓晶体，和标准的直拉法一样，只是做了一些改进。由于熔融物里砷的挥发性通常采用一层氧化硼漂浮在熔融物上来抑制砷的挥发。 直拉法更普遍，更便宜，可加工大晶圆尺寸（如300mm），材料可重复使用。区熔法可制备更纯的单晶硅（因为没坩锅），但成本高，可制备的晶圆尺寸小 （约150mm)。主要用于功率器件。 11、晶体缺陷: a.点缺陷（三种基本点缺陷：空位缺陷；间隙原子缺陷；Frenkel缺陷） b.位错 c.层错 12、刻蚀：为了消除硅片表面的损伤，进行硅片刻蚀；硅片刻蚀是利用化学刻蚀选择性去除表面物质的过程；腐蚀掉硅片表面约20微米的硅。 13、外延(epitaxial)：与衬底有相同的晶体结构 用作双级晶体管中阻挡层，可减少集电极电阻同时保持高的击穿电压；用在CMOS和DRAM中可改进器件性能，因为外延层具有低的氧、碳含量。 第五章 半导体制造中的化学品 14、表面张力：液滴的表面张力是增加接触表面积所需的能量。 随着表面积的增加，液体分子必须打破分子间的引力，从液体内部运动到液体的表面，因此需要能量。 15、通用气体：控制在7个9以上的纯度%) 气体种类 气体 符号 用途 惰性 氮气 N2 排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿气和残余气体，有时也作为某些淀积工艺的工艺气体 氩气 Ar 在硅片工艺过程中用在工艺腔体中 氦气 He 工艺腔气体，真空室的漏气检查 还原性 氢气 H2 外延层工艺的运载气体，也用在热氧化工艺中与O2反应生成水蒸气 氧化性 氧气 O2 工艺腔气体 16、液态化学品的输送过程是通过批量化学材料配送(BCD)系统完成的；BCD系统由化学品源、化学品输送模块和管道系统组成；对于使用量很少或者在