半导体器件基础知识同步检测.docVIP

半导体器件基础知识同步检测 半导体器件基础知识同步检测 PAGE 半导体器件基础知识同步检测 半导体器件基础知识 一填空题 1晶体二极管加一定的___________电压时导通,加__________电压时_________,这一导电特性称为二极管的______________. 2 PN结处于导通状态时电阻________,处于截止状态时电阻_______. 3二极管导通后,正向电流和正向电压呈__________关系,正向电流变化较大时,二极管两端正向压降的近于_________,硅管的正向压降为______V,锗管约为__________. 4用万用表“ＲＸ１Ｋ”档测试二极管,若测得电阻较大时,则黑表笔接触的是二极管的____极,与红表笔接触的是二极管的_____极. 5三极管的放大作用的实质是____________电流对__________电流的控制作用. 6场效应管是一种_________控制器件,用__________极电压来控制__________电流.它具有高______________和低__________特点.场效应管有________场效应管和_________场效应管两大类,每类又有______沟道和______沟道的区分. 7试判断图中各三极管处于何种工作状态,并指出管型. 6V 6V 2V 6V -2V 1V -5V -2V -7V (1) (2) (3) (4) 管型 = 1 \* GB2 ⑴_____________, = 2 \* GB2 ⑵____________, = 3 \* GB2 ⑶____________, = 4 \* GB2 ⑷____________ 工作状态 = 1 \* GB2 ⑴___________, = 2 \* GB2 ⑵___________ , = 3 \* GB2 ⑶___________, = 4 \* GB2 ⑷_____________. VD+-R3V+Vo_ VD + - R 3V + Vo _ Vi VD + - R 3V + Vo _ Vi VD + - R 3V + Vo _ Vi (a) (b) (c) = 1 \* GB2 ⑴ VO=_____V = 2 \* GB2 ⑵ V0=______V = 3 \* GB2 ⑶ Vo=______V 9晶体三极管集电极电流过大、过小都会使其β值_________;当IcIcm时,将引起_______下降,当VCEV(BR)CEO时将引起__________;当PcPcm时,将引起_________. 10 ICEO称类三极管的_________电流,它反映三极管的___________,ICEO越____越好. 二判断题 1三极管的放大作用具体表现在ICIB. ( ) 2工作在放大状态下的NPN型三极管VBE0,VBEVCE. ( ) 3三极管的输出特性曲线是IB与IC之间的关系曲线. 4只要三极管的发射结处于正偏,通常认为它处于截止状态. ( ) 5三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线相似. ( ) 6二极管一旦反向击穿就会损坏. ( ) 7二极管导通后,其电流大小与二极管的型号无关. ( ) 8三极管具有恒流特性,场效应管具有恒压特性. ( ) 9 N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零. ( ) 10 二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流迅速增大. ( ) 三选择题 1某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管,测得VE=-3V,VBC=,VCE=6V,则该管是( ) A PNP管处于放大状态 B PNP管处于截止状态 C NPN管处于放大状态 D NPN管处于截止状态. mAVS1RB mA V S1 RB VBB V RC VCC S2 A 集电极内部开路 B 发射极内部开路 C CE极间已击穿 D 发射结已击穿 3工作在放大区的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC从1mA变为2mA,则它的β值约为( ) A10 B50 C100 D75 4当温度升高时,晶体管的参数和电流应发生如下变化( ) A β↓、ICEO↑、∣VBE∣↓ B β↓、ICEO↓、∣VBE∣↑ C β↑、ICEO↑、∣VBE∣↑ D β↓、ICEO↑、∣VBE∣↑ 5三极管输出特性曲线常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ） A ic， B VcE C iB D iE 6某硅二极管的反向击穿电压为