CMOS的制造工艺流程.docx

。 。 - -可编辑修改- CMOS 反相器的制造 工艺流程 院系：交通科学与工程学院 学号:姓名 ： 姬勃 2013 年 12 月 9 日 摘 要：虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几 种主要的制造工艺为基础。文章介绍了 CMOS 反相器的主要工艺流程,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。 关 键 词： CMOS反相器 、工作原理、工艺流程 1.1 CMOS 反相器 介绍 CMOS 反相器由一个 P 沟道增强型 MOS 管和一个 N 沟道增强型 MOS 管串联组成。通常 P 沟道管作为负载管，N 沟道管作为输入管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中， 两个晶体管 中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与 NMOS 型和 PMOS 型反相器相比，CMOS 反相器的电阻 相对较低 1.1工作原理 两个 MOS 管的开启电压 VGS(th)P0， VGS(th)N 0，通常为了保证正常工作，要求 VDD|VGS(th)P|+V GS(th)N 。 若 输入 vI 为低电平 (如 0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近 VDD。若输入 vI 为高电平(如 VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近 0V。 综上所述，当 vI 为低电平时 vo 为高电平；vI 为高电平时 vo 为低电平，电路实现了非逻辑运算，是非门——反相器。 CMOS 的制造流程 CMOS 是集成电路的最基本单元，它的制作流程可分为前段和后段，前段流 程主要完成元件的制作，包括组件隔离区的形成、阱的植入、栅极的制成、 LDD 的植入、源极和漏极的制成。后段流程主要完成元件之间的互连，包括第一层金 属的制成、第二层金属的制成、保护层和焊垫的制成。以 0.25 微米制程为例， 具体分为以下步骤。 组件隔离区的形成 初始清洗 初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的 尘粒，或杂质去除，防止这些杂质尘粒，对后续的制程造成影响，使得组件无 法 正常工作。表 2.1 是半导体制程中所用到的标准清洗步骤。 表 2.1 半导体制程中所用到的标准清洗步骤 骤步 化学溶剂 骤 清洗温 度 清除之污染物 1 H SO+HO (4:1) 2 4 2 2 D.I Water NH OH+H O +H O 4 2 2 2 D.I Water 5HCL+H O +H O (1:1:52) 2 2 5 120℃ 室温 80- 90℃ 室温 ℃90 80- ℃ 有机污染物洗清 微尘洗清 金属离子 6 D.I Water 室温 洗清 7 HF+H O (1:50) 2 8 D.I Water 前置氧化 室温 原生氧化层室温 洗清 图 2.2 前置氧化图 2.2 为前置氧化示意图。先长一层薄薄的二氧化硅，目的是为了降低后续 制程中的应力，因为要在晶圆的表面形成一层厚的氮化硅，而氮化硅具有很强的 应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，加入一层二 氧化硅减缓氮化硅的应力，因为氮化硅具有拉力而二氧化硅具有张力， 因此加入 图 2.2 前置氧化 沉积氮化硅 。 。 图 2.3 为沉积氮化硅示意图。利用 PECVD 的技术沉积氮化硅，用来隔绝氧气 与硅的接触，以定义出组件隔离的区域，使不被氮化硅所覆盖的区域，被氧化而 形成组件隔离区。 离子布植--离子布植是将所需的注入元素(如砷)电离成正离子，并使其获得所需的能量，以很快的速度射入硅芯片的技术。而这个固体材料主要是由原子核 和电子组成的。 图 2.3 沉积氮化硅 组件隔离区的光罩形成 图 2.4 是组件隔离区的光罩形成示意图，利用微影的技术，上光阻，将要氧 化绝缘的区域的光阻去除，而定义出组件隔离区。 图 图 2.4 组件隔离区的光罩形成 氮化硅的蚀刻 图 2.5 是氮化硅的蚀刻示意图，将需要氧化区域的氮化硅利用活性离子蚀刻 法去除。接着再将光阻去除。 - -可编辑修改- 。 。 图 2.5 氮化硅的蚀刻 元件隔离区的氧化 图 2.6 是元件隔离区的氧化示意图，利用氧化技术，在组件隔离区长成一层 厚厚的二氧化硅，形成组件的隔离区。 注：氧化--二氧化硅(SiO2)的制作方法有:1.热氧化法；2.沉积法；3.阳极氧 化法；4.氧离子注入氧化法。其中较常用的热氧化法又可分为 1.干氧化法；2. -可编辑修改- 。 。 - -可编辑修改- 湿氧化法；3.纯水氧化法；4.掺氯氧化法 。而湿氧化法又有普通湿氧氧化法及 氢氧合成湿氧化法。 图 2.6 元件隔离区的氧化 去除氮化硅 图 2.7 是去除氮化硅示意图，利用活性离子蚀刻技术将氮化硅去除。 图 2.7 去除氮化硅 阱的植入 1.N 型阱的形成 图 2.8 是 N 型