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第一章 mosfet 基础知识 自 1976 年开发出功率 MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展， 它的性能 不断提高：如高压功率 MOSFET其工作电压可达 1000V；低导通电阻 MOSFET其阻 值仅 lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出 各种贴片式功率 MOSFET(如 SILIConix 最近开发的厚度为 1.5mm“Little Foot 系列 ) 。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体 管。 功率 MOSFET主要用于计算机外设 ( 软、硬驱动器、打印机、绘图机 ) 、 电源(AC ／DC变换器、 DC／DC变换器 ) 、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领 域。 什么是 MOSFET “MOSFET”是英文 MetalOxide SemiCoductor Field Effect Transistor 的 缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物 (SiO2 或 SiN) 及半导体三种材料制成的器件。所谓功率 MOSFET(Power MOSFET)是指它 能输出较大的工作电流 ( 几安到几十安 ) ，用于功率输出级的器件。 MOSFET的结构 图 1 是典型平面 N 沟道增强型 MOSFET的剖面 图。它用一块 P 型硅半导体材料作衬底 ( 图 la) ，在 其面上扩散了两个 N 型区( 图 lb) ，再在上面覆盖一 层二氧化硅 (SiQ2) 绝缘层 ( 图 lc) ，最后在 N 区上方 用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在 绝缘层上及两个孔内做成三个电极： G(栅极 ) 、S(源 极) 及 D(漏极 ) ，如图 1d 所示。 从图 1 中可以看出栅极 G与漏极 D及源极 S 是 绝缘的， D与 S 之间有两个 PN结。一般情况下，衬 底与源极在内部连接在一起。 图 1 是 N沟道 增强型 MOSFET的 基本结构图。 为了 改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高 工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有 不同的结构及工艺， 构成所谓 VMOS、DMOS、TMOS 等结构。图 2 是一种 N沟道增强型功率 MOSFET 的结构图。虽然有不同的结构，但其工作原理 是相同的，这里就不一一介绍了。 MOSFET的工作原理 要使增强型 N沟道 MOSFET工作，要在 G、S 之间加正电压 VGS及在 D、S 之 间加正电压 VDS，则产生正向工作电流 ID 。改变 VGS的电压可控制工作电流 ID 。如图 3 所示。 若先不接 VGS(即 VGS＝0) ，在 D 与 S 极之间 加一正电压 VDS，漏极 D 与衬底之间的 PN结处于 反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极 G与 源极 S 之间加一电压