VDMOS功率晶体管的版图设计.pdfVIP

. VDMOS功率晶体管的版图设计 系 专业 姓名 班级 学号 指导教师 职称 指导教师 职称 设计时间 2012.9.15 －2013.1.4 . . 摘 要 VDMOS是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。因具有 开关速度快、输入阻抗高、负温度系数、低驱动功率、制造工艺简单等一系列优点，在 电力电子领域得到了广泛的应用。 目前，国际上已形成规模化生产， 而我国在 VDMOS设 计领域则处于起步阶段。 本文首先阐述了 VDMOS器件的基本结构和工作原理，描述和分析了器件设计中各 种电性能参数和结构参数之间的关系。通过理论上的经典公式来确定 VDMOS的外延参 数、单胞尺寸和单胞数量、终端等纵向和横向结构参数的理想值。根据结构参数，利用 L-edit 版图绘制软件分别完成了能够用于实际生产的 60V、100V、500V VDMOS器件的 版图设计。在此基础之上确定了器件的制作工艺流程，并对工艺流水中出现的问题进行 了分析。最后，总结全文，提出下一步研究工作的方向。 关键词：，功率半导体器件，版图设计，原胞，击穿电压 . . 目 录 . . 第 1章 绪 论 电力电子系统是空间电子系统和核电子系统的心脏， 功率电子技术是所有电力电子 系统的基础。 VDMOSFET是功率电子系统的重要元器件，它为电子设备提供所需形式的 电源以及为电机设备提供驱动。几乎大部分电子设备和电机设备都需用到功率 VDMOS 器件。 VDMOS器件具有不能被横向导电器件所替代的优良性能，包括高耐压、低导通电 阻、大功率和可靠性等。 半导体功率器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元器件， 也称为电 力电子开关器件。它是用来进行高效电能形态变换、功率控制与处理，以及实现能量调 节的新技术核心器件。 电力电子技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领 域，而半导体功率器件的可控制特性决定了电力电子系统的效率、体积和重量。实践证 明，半导体功率器件的发展是电力电子系统技术更新的关键。通常，半导体功率器件是 一种三端子器件， 通过施加于控制端子上的控制信号， 控制另两个端子处于电压阻断 （器 件截至）或电流导通（器件导通）状态。 20 世纪 50 年代初，世界上第一只可控性半 导体器件双极结型晶体管（ BJT）诞生，从那时起， BJT 开始广泛应用于各类电子系统 中，并促使人类真正进入大功率电能转换的时代。 实际上大容量电功率概念与半导体器件技术相结合的研究开发从