光刻工艺概述.pptVIP

* * 8.3 光刻技术 脱水烘焙 经过清洁处理后的晶圆表面可能会含有一定的水分（亲水性表面），所以必须脱水烘焙使其达到清洁干燥（憎水性表面），以便增加光刻胶和晶圆表面的黏附能力。 * * 8.3 光刻技术 保持憎水性表面通常通过下面两种方法： 一是保持室内温度在50℃以下，并且在晶圆完成前一步工艺之后尽可能快的进行涂胶。 另一种方法是把晶圆存储在用干燥并且干净的氮气净化过的干燥器中。 * * 8.3 光刻技术 除此之外，通过加热也可以使晶圆表面恢复到憎水表面。有三种温度范围： 150～200℃（低温），此时晶圆表面会被蒸发。 到了400℃（中温）时，与晶圆表面结合较松的水分子会离开。 当超过750℃（高温）时，晶圆表面从化学性质上讲恢复到了憎水性条件。 通常采用低温烘焙，原因是操作简单。 * * 8.3 光刻技术 涂底胶 涂底胶的目的是进一步保证光刻胶和晶圆表面的粘结能力。底胶的选择必须保证一个很好的黏附和平滑的表面。 底胶的作用是从化学上把晶圆表面的水分子系在一起，因此增加了表面的黏附能力。 方法有：沉浸式 旋转式 蒸汽式 各有优缺点，使用时根据具体情况选择。 * * 8.3 光刻技术 一般的材料： 六甲基乙硅氮烷（hexa-methyl-disilazane,简称HMDS）。 以SiO2为例，HDMS的作用是去掉其表面的-OH基。HMDS首先与表面的水反应，生成气态的NH3和O2,形成脱水表面，然后在加热的情况下和O2反应，形成三甲基甲硅烷（Si[CH3]3）的氧化物，附着在SiO2表面，形成疏水表面 * * 8.3 光刻技术 六甲基二硅亚胺HMDS反应机理 SiO2 SiO2 OH OH ＋(CH3) 3SiNHSi(CH3) 3 O-Si(CH3) 3 O-Si(CH3) 3 +NH3 * * Process Summary: 晶圆放置在真空工艺腔内 大致5ml 光刻胶 慢速旋转~ 500 rpm 逐渐增至~ 3000 to 5000 rpm 注意控制: time speed thickness uniformity particles and defects Vacuum chuck Spindle connected to spin motor To vacuum pump Photoresist dispenser * * Wafer Exhaust Hot plate Chamber cover Process Summary: 在带有抽气的密闭腔内去湿烘焙 六甲基二硅胺脘 (HMDS) 清洗并干燥硅片表面 Temp ~ 200 to 250?C Time ~ 60 sec. * * 8.3 光刻技术 8.3.2 涂光刻胶 目的是在晶圆表面建立薄而均匀并且没有缺陷的光刻胶膜。要做到这一点必须用精良的设备和严格的工艺控制才能达到。 厚度：0.5～1.5μm，均匀性：±0.01μm 常用方法：旋转涂胶法 分手动，半自动，全自动 * * 8.3 光刻技术 静态涂胶工艺 首先把光刻胶通过管道堆积在晶圆的中心，堆积量由晶圆大小和光刻胶的类型决定，堆积量非常关键，量少了会导致涂胶不均匀，量大了会导致晶圆边缘光刻胶的堆积甚至流到背面。 * * 8.3 光刻技术 静态旋转工艺 光刻胶膜的最终厚度是由光刻胶的粘度、旋转速度、表面张力和光刻胶的干燥性来决定的。 * * 8.3 光刻技术 光刻胶覆盖 * * 8.3 光刻技术 动态喷洒 随着晶圆直径越来越大，静态涂胶已不能满足要求，动态喷洒是晶圆以500rpm的速度低速旋转，其目的是帮助光刻胶最初的扩散，用这种方法可以用较少量的光刻胶而达到更均匀的光刻胶膜。待扩散后旋转器加速完成最终要求薄而均匀的光刻胶膜。 * * 8.3 光刻技术 * * 8.3 光刻技术 自动旋转器 自动系统如图所示，包含了晶圆表面处理、涂底胶 和涂光刻胶 的全部过程， 标准的系统 配置就是一 条流水线。 * * 8.3 光刻技术 * * 8.3 光刻技术 * * 3)