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2021/10/15 （3-*） 1、MOS管的结构和符号 金属—氧化物—半导体场效应管(Metal-Oxide-semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOS) MOS管的开关特性 2021/10/15 （3-*） MOS管的基本开关电路 夹断区: VGS VGS(th),ID=0 ——D、S间相当于开关断开。 可变电阻区:UGS?Uth , UDS ? 0V ——D、S间相当于开关闭合。 2021/10/15 （3-*） vi t vo t +VDD 0V 2021/10/15 （3-*） MOS管的开关等效电路图 (a)截止状态 (b)导通状态 返回 2021/10/15 （3-*） 四种类型的MOS管 P沟道增强型MOS管的符号 P沟道耗尽型MOS管的符号 N沟道增强型MOS管的符号 N沟道耗尽型MOS管的符号 2021/10/15 （3-*） MOS电路的特点: 3. 是电压控制元件,静态功耗小。 3. 允许电源电压范围宽（3?18V）。 4. 扇出系数大,抗噪声容限大。 优点 1. 工艺简单,集成度高。 缺点:工作速度比TTL低 。 2021/10/15 （3-*） 2. MOS反相器 0 UDS ID ui=“1” ui=“0” uo=“0” uo=“1” 2021/10/15 （3-*） 3. CMOS反相器 NMOS管 PMOS管 工作原理: ui=0时: ugs2=?UCC , T2导通、T1截止，uo=“１”; ui=1时： T1导通、T2截止，uo=“0”。 UCC S T2 D T1 ui uo D S Complementary -Symmetry MOS) 互补对称式MOS T1 : ON T2: OFF 同一电平: OFF ON 2021/10/15 （3-*） 4. CMOS与非门 工作原理: +UDD A Y T2 T1 B T3 T4 S S S S G G 结构 0 0 ? ? ? ? 1 0 1 ? ? ? ? 1 1 0 ? ? ? ? 1 1 1 ? ? ? ? 0 A B T1 T2 T3 T4 Y 2021/10/15 （3-*） A B T1 T2 T3 T4 Y 工作原理: +UDD Y A T2 T1 B T3 T4 G G S S S 结构 0 0 ? ? ×× 1 0 1 ? × × ? 0 1 0 × ? ? × 0 1 1 × × ? ? 0 5. CMOS或非门 2021/10/15 （3-*） CMOS门的VT= 0.5VDD ,TTL门的VT一般在1.0～1.4V。 CMOS门输出:高电平为VOH= VDD ，低电平为VOL=0V。 TTL门输出：高电平为VOH=3.6V， 低电平为VOL=0.3V。 二、CMOS门电路和TTL门电路比较 对CC4000系列门电路,通常 输入高电平的值不能低于0.7VDD，即VIH(min) ? 0.7VDD 输入低电平的值不能大于0.3VDD，即VIL(max) ? 0.3VDD CMOS传输特性矩型性比TTL好，且随VDD按比例变化。 2021/10/15 （3-*） 三、CMOS传输门 1、电路结构 CMOS传输门TG由TN和TP管构成，C=1（或 =0)时传输门接通，VO=VI C=0（或 =1)时，传输门关闭，入、出阻断。 该传输门的特点是即可以传输数字信号，又可以传输模拟信号。当C的高低电平分别为VDD和0V时，传输门可传输0~ VDD之间的信号。该门的另一个特点是VO，VI端可以互换，信号既可以从左向右传送，也可以从右向左传送。 2021/10/15 （3-*） 2、工作原理 在0 ～ VDD 之间,从输入到输出之间相当于两个电阻并联。 C=0（ =1）时，TN和TP管D、S间无导电沟道，入、出阻断。 C=1（ =0）时， 0 ?vI ?VDD-VT ，则TN导通； VT ?vI ?VDD，则TP导通； VT ?vI ?VDD-VT ，则TN 、TP都导通。 2021/10/15 （3-*） CMOS电路的特点 1.静态功耗小:CMOS门工作时,一管导通，一管截止，几乎不由电源吸取电流，因此其静态功耗极小。 2. CMOS集成电路功耗低内部发热量小,集成度可大大提高。 3. 抗幅射能力强:MOS管是多数载流子工作,射线辐 射对多数载流子浓度影响不大。 4. 电压范围宽:CMOS门电路输出高电平VOH ≈ VDD,低电平VOL ≈ 0V。允许电源