半导体工艺离子注入(精).docVIP

半导体工艺-离子注入(精) 半导体工艺-离子注入(精) PAGE / NUMPAGES 半导体工艺-离子注入(精) 半导体工艺 离子注入 离子注入法混杂对比扩散法混杂来说，它的加工温度低、简单制作浅结、平均的大面积注入杂质、易于自动化等长处。当前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不行缺乏的混杂工艺。 离子注入原理 离子是原子或分子经过离子化后形成的，即等离子体，它带有必定量的电荷。可经过电场对离子进行加快，利用磁场使其运动方向改变，这样就能够控制离子以必定的能量进入 wafer 内部达到混杂的目的。 离子注入到 wafer 中后，会与硅原子碰撞而损失能量， 能量耗尽离子就会停在 wafer 中某地点。离子经过与硅原子 的碰撞将能量传达给硅原子，使得硅原子成为新的入射粒 子，新入射离子又会与其余硅原子碰撞，形成连锁反响。 杂质在 wafer 中挪动会产生一条晶格受损路径，伤害状况取决于杂质离子的轻重，这使硅原子走开格点地点，形成点缺点，甚至致使衬底由晶体结构变为非晶体结构。 离子射程 离子射程就是注入时，离子进入 wafer 内部后，从表面到停止所经过的行程。入射离子能量越高，射程就会越长。 投隐射程是离子注入 wafer 内部的深度，它取决于离子的质量、能量， wafer 的质量以及离子入射方向与晶向之间的关系。有的离子射程远，有的射程近，而有的离子还会发生横向挪动，综合全部的离子运动，就产生了投影偏 差。 离子注入剂量 注入剂量是单位面积 wafer 表面注入的离子数，可经过 下边的公式计算得出 ，式中， Q是剂量； I 是束流， 单位是安培； t 是注入时间，单位是秒； e 是电子电荷， 1.6 ×10-19C；n 是电荷数目； A 是注入面积，单位是 。 离子注入设施 离子注入机体积宏大，结构特别复杂。依据它所能供给 的离子束流大小和能量可分为高电流和中电流浪子注入机以 及高能量、中能量和低能量离子注入机。 离子注入机的主要零件有：离子源、质量剖析器、加快器、聚焦器、扫描系统以及工艺室等。 1）离子源 离子源的任务是供给所需的杂质离子。在适合的气压 下，使含有杂质的气体遇到电子碰撞而电离，最常用的杂质 源有和等， 2）离子束汲取电极 汲取电极将离子源产生的离子采集起来形成离子束。电 极由克制电极和接地电极构成，电极上加了很高的电压，离 子遇到弧光反响室侧壁的排挤作用和克制电极的吸引作用，被分别出来形成离子束向汲取电极运动。 3）质量剖析器 反响气体中可能会夹杂少许其余气体，这样，从离子源 汲取的离子中除了需要杂质离子外，还会有其余离子。因 此，需对从离子源出来的离子进行挑选，质量剖析器就是来 达成这项任务的。 质量剖析器的核心零件是磁剖析器，在相同的磁场作用下，不一样荷质比的离子会以不一样的曲率半径做圆弧运动，选择适合曲率半径，就能够挑选出需要的离子。荷质比较大的 离子偏转角度太小、荷质比较小的离子偏转角度太大，都没法从磁剖析器的出 口经过，只有拥有适合荷质比的离子才能顺利经过磁剖析器，最后注入到 wafer 中。 （ 4）加快器 为了保证注入的离子能够进入 wafer ，并且拥有必定的射程，离子的能量一定知足必定的要求，所以，离子还需要进行电场加快。达成加快任务的是由一系列被介质隔绝的加快电极构成管状加快器。离子束进入加快器后，经过这些电 极的连续加快，能量增大好多。 与加快器连结的还有聚焦器，聚焦器就是电磁透镜，它 的任务是将离子束齐集起来，使得在传输离子时能有较高的效益，聚焦好的离子束才能保证注入剂量的平均性。 （ 5）扫描器 离子束是一条直径约 1～3 的线状高速离子流，一定经过 扫描覆盖整个注入区。扫描方式有：固定 wafer ，挪动离子 束；固定离子束，挪动 wafer 。离子注入机的扫描系统有电 子扫描、机械扫描、混淆扫描以及平行扫描系统，当前最常 用的是静电扫描系统。 静电扫描系统由两组平行的静电偏转板构成，一组达成 横向偏转，另一组达成纵向偏转。在平行电极板上施加电场，正离子就会向电压较低的电极板一侧偏转，改变电压大小就能够改变离子束的偏转角度。静电扫描系统使离 子流每秒钟横向挪动 15000 多次，纵向挪动挪动 1200 次。 静电扫描过程中， wafer 固定不动，大大降低了污染几率，并且因为带负电的电子 和中性离子不会发生相同的偏转，这样就能够防止被 掺入到 wafer 中间。 6）终端系统 终端系统就是 wafer 接受离子注入的地方，系统需要 达成 Wafer 的承载与冷却、正离子的中和、离子束流量检测等功能。 离子轰击致使 wafer 温度高升，冷却系统要对其进行 降温，防备出现因为高温而惹起的问题，有气体冷却和橡胶冷却两种技术。冷却系统集成在 Wafer 载具上， wafer 载