半导体管特性图示仪使用和晶体管参数测量(精).docVIP

半导体管特征图示仪的使用和晶体管参数丈量(精) 半导体管特征图示仪的使用和晶体管参数丈量(精) PAGE / NUMPAGES 半导体管特征图示仪的使用和晶体管参数丈量(精) 半导体管特征图示仪的使用和晶体管参数丈量 一、实验目的 1、认识半导体特征图示仪的基来源理 2、学习使用半导体特征图示仪丈量晶体管的特征曲线和参数。 二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理 ,认识半导体图示仪的工作原理以及 XJ4810 型半导 体管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。 三、实验原理 (一 半导体 特征图示仪的基本工作原理 任何一个半导体器件 ,使用前均应认识其性能 ,关于晶体三极管 ,只需知道其输 入、输出特征曲线 ,就不难由曲线求 出它的一系列参数 ,如输入、输出电阻、电流放 大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但怎样 获得这两组 曲线 呢?最早是 利 用图 4-1 的 伏安法 对晶体管 进行逐点 测 试 , 尔后描 出曲线, 逐点 测 试法 不 仅 既费时又费劲 , 而并且所得 数 据 不可以 全面 反 映被 测管的特征 , 在 实 际中 , 宽泛 采 用半导体特征图示仪丈量的晶体管输入、输出特征曲线。 图 4-1 逐点法 测 试共射 特征曲线的原理线 路 用半导体特征图示仪丈量晶体 管的特征曲线和各 种直 流参量的基来源理 是 用图 4-2(a中幅度随时间周期 性 连 续变化 的 扫描 电压 UCS 取代逐点法中 的 可调 电压 EC ,用图 4-2(b 所 示的 和扫 描 电压 UCS 的 周期想 对应的 阶梯 电流 iB 来取代逐点法中可 以 逐点改变 基极电 流的 可变 电压 EB , 将 晶体管的特 性曲线 直接显 示在 示 波 管的 荧光屏上 , 这样 一 来 , 荧光屏上光点地点 的 坐标便取代 了 逐点法中 电压 表 和电流 表 的读数。 1、共射 输出特征曲线的 显 示原理 当显 示如图 4-3 所 示的 NPN 型晶体管 共发射 极输出特征曲线 时 , 图示仪 内 部 和 被 测晶体管 之间 的 连结方式 如图 4-4 所 示 . T 是被 测晶体管 , 基极 接 的 是阶梯波信号源 ,由它 产生 基极 阶梯 电流 ib 集 电极 扫描 电压 UCS 直接加到 示 波 器 (图 示仪 中相当 于示 波器的 部 分 , 以 下同 的 X 轴输入 端 ,, 经 X 轴 放大 器放大 到 示 波 管 水平偏转板 上集 电极电流 ic 经取 样电 阻 R 获得 与 ic 成正比 的电压 ,UR=ic,R 加到 示 波 器的 Y 轴 输入 端 , 经 Y 轴 放大器放大 加到 垂 直 偏转 板 上 . 子束 的 偏转角 与偏转板 上所加 电压的大 小成正比 , 所 以 荧光屏光点 水平 方 向 挪动距离 代表 ic 的大 小 , 也 就 是 说 , 荧光屏 平 面被 模拟成 了 uce-ic 平 面 . 图 4-4 输出特征曲线 显 示电 路 输出特征曲线的 显 示 过程 如图 4-5 所示 当 t=0 时 , iB =0 ic=0 UCE =0 两 对 偏转板 上 的电压均 为零 , 设此 时荧光屏上 光点 的 地点 为 坐标 原 点 。 在 0-t1, 这 段 时间内 , 集 电极 扫描 电压 UCS 处 于 第 一个 正弦 半 波周期 。 图 4-5 晶体管输出特征曲线的 显 示过程 UCE 开始 由零 逐 渐增 大到最 大 值 , 然 后 再由 最大 值 逐 渐减少 到 零 ,它 在 水平 方 向 上 影响 电子束 ,因为 这段 时间内 iB =IBO =0, ic =ICEO , 其大 小决 定于 被 测晶体管本 身 的特征, 且随 UCE 而变 ,它 在 垂 直方 向 上 使电 子束 发生 相 应的 偏转 。 因为 UCE 在 水平 方 向 上 和 ic 在 垂 直方 向 上 对电 子束 的作用 是 同 时存 在的,二 者 作用的 结果 ,使 光点 从 坐标 原 点出 发 , 沿着 向 右 上方 伸展 的一 条 曲线 渐渐移 到最 大, 再 由 最 大 沿 原路逐 渐回 到坐标 原 点 , 这 条 曲线(光点 挪动 的 轨 迹就 是 iB =IBO =0 所 对应的 那条 输出特征曲线。 在 正弦 半波 的第 一个 周期 刚才结束 , 第 二个 周期 刚开始 的 t1 时 , ib 值从 零跳 变到 IB1。 在 t1-t2 这 段 时间内 , 集 电 极扫描 电压 处 于正弦 半 波 的第 二 个 周期 ,它 在水平 方 向 上 对电流 束的 影响与 0-t1 的一 样 ,因为 t1-t2 这 段时间 内 iB = IB1 值恒 定不 变 , 所 以 ic 的大 小 仅 取决