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半导体工艺(精) 半导体工艺(精) PAGE / NUMPAGES 半导体工艺(精) 半导体的生产工艺流程 一、干净室 一般的机械加工是不需要干净室 (clean room) 的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比平时环境的微尘颗粒为大。 但进入半导体组件或微细加工的世界， 空间单位都是以微米计 算，所以微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上， 便有可能影响到其上精美导线布局的款式，造成电性短路或断路的严重结果。 为此，所有半导体系程设施，都一定布置在隔断粉尘进入的密闭空间中，这就是干净 室的出处。干净室的干净等级，有一公认的标准，以 class 10 为例，意谓在单位立方英呎的干净室空间内，均匀只有粒径 0.5 微米以上的粉尘 10 粒。所以 class 后面数字越小，干净度越佳，自然其造价也越昂贵。 为创建干净室的环境，有专业的建筑厂家，及其有关的技术与使用管理方法以下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以保证粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气绢绢不断地打入干净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定， 大型空调设施须搭配于前述之鼓风加压系统中。 换言之， 鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放分配，使 粉尘在干净室内盘旋阻滞的时机与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物出入，都一定经过空气吹浴 (air shower) 的程序，将表面粉尘先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘根源，为此务必严格要求出入使用人员穿着无尘 衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔断接触 (在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿着得像航天员同样。 ) 自然，化妆是在严禁以内，铅笔等也严禁使用。 7、除了空气外，水的使用也只好限用去离子水 (DI water, de-ionized water) 。一则防备 水中粉粒污染晶圆，二则防备水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半 (MOS) 晶体管结 构之带电载子信道 (carrier channel) ，影响半导体组件的工作特征。去离子水以电阻率 (resistivity) 来定义利害， 一般要求至 17.5M Ω -cm 以上才算合格； 为此需动用多重离子互换树脂、 RO 逆浸透、与 UV 紫外线杀菌等重重关卡，才能放履行用。因为去离子水是最正确的 溶剂与洁净剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、干净室所实用获得的气源， 包含吹干晶圆及机台空压所需要的， 都得使用氮气 (98%) ， 吹干晶圆的氮气甚至要求 99.8%以上的高纯氮！ 以上八点说明是最基本的要求， 另还有 污水办理、废气排放的环保问题，再再需要大笔大笔的建筑与保护花费 ! 二、晶圆制作 硅晶圆 (silicon wafer) 是全部集成电路芯片的制作母材。 既然说到晶体， 明显是经过 纯炼与结晶的程序。当前晶体化的制程，大多是采「 柴可拉斯基」 (Czycrasky) 拉晶法 (CZ 法) 。拉晶时，将特定晶向 (orientation) 的晶种 (seed)，浸入过饱和的纯硅熔汤 (Melt) 中， 并同时旋转拉出，硅原子便依据晶种晶向，乖乖地一层层成长上去，而得出所谓的晶棒 (ingot) 。晶棒的阻值假如太低，代表此中导电杂质 (impurity dopant) 太多，还需经过 FZ 悬 浮区熔法 法 (floating-zone) 的再结晶 (re-crystallization) ，将杂质逐出，提升纯度与阻值。 辅拉出的晶棒，外缘像椰子树干般，外径不甚一致，需予以机械加工修边，而后以 X 光绕射法，定出主切面 (primary flat) 的所在，磨出该平面；再以内刃环锯，削下一片片的 硅晶圆。最后经过粗磨 (lapping) 、化学蚀平 (chemical etching) 与拋光 (polishing) 等程序， 得出具表面粗拙度在 0.3 微米以下拋光面之晶圆。 (至于晶圆厚度，与其外径有关。 ) 方才题及的晶向，与硅晶体的原子构造有关。硅晶体构造是所谓「钻石构造」 (diamond-structure) ，系由两组面心构造 (FCC) ，相距 (1/4,1/4,1/4) 晶格常数 (lattice constant ； 即立方晶格边长 ) 叠合而成。我们 依米勒指针法 (Miller index) ，可定义出诸如 ： {100} 、 {111} 、 {110} 等晶面 。所以晶圆也因之有 {100} 、 {111} 、 {110} 等之分野。有关常用硅晶 圆之切边方向等信息，请参照图 2-2。 当今半导体业所使用之硅晶圆， 大多以 {100} 硅晶圆为主。 其可依导电杂