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半导体资料(精) 半导体资料(精) PAGE / NUMPAGES 半导体资料(精) 半导体资料 纲要 半导体资料（ semiconductor material ） 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体资料是一类拥有半导体 性能、可用来制作 半导体器件 和集成电的电子资料，其电阻率在 10（ U-3 ）～ 10 （U- 9 ）欧姆 /厘米范围内。半导体资料的 电学 性质对光、热、电、磁等外界要素的变化十分 敏感，在半导体资猜中掺入少许杂质能够控制这种资料的电导率。正是利用半导体资料 的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体资料是半导体工业的基础，它 的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体资料按化学成分和内部构造，大概可 分为以下几类。 1. 元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。 50 年月，锗在半导体中 占主导地位，但 锗半导体器件的耐高平和抗辐射性能较差，到 60 年月后期渐渐被 硅材 料代替。用硅制造的半导体器件，耐高平和抗辐射性能较好，特别适合制作大功率器 件。所以，硅已成为应用最多的一种增导体资料，当前的集成电路大多半是用硅资料制 造的。 2. 化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体资料。它的种类很 多，重要的有 砷化镓 、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。此中砷化镓是制 造微波器件 和集成电的重要资料。碳化硅因为其抗辐射能力强、耐高平和化学稳固性 好，在航天技术领域有着宽泛的应用。 3. 无定形半导体资料 用作半导体的玻璃是一种 非晶体无定形半导体资料，分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。这种资料拥有优秀的 开关和记忆特征和很强的抗辐射能力，主要用来制造阈值开关、记忆开关和固体显示器 件。 4. 有机增导体资料已知的有机半导体资料有几十种，包含萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁 和一些芬芳族化合物等，当前还没有获取应用 。 特征和参数 半导体资料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体资料 称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体资猜中掺入适 当杂质后，因为杂质原子供给导电载流子，使资料的电阻率大为降低。这种混杂半导体 常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称 N 型半导体，靠价带空穴导电的 称 P 型半导体。不一样种类半导体间接触（构成 PN 结）或半导体与金属接触时，因电子 （或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因此这种接触拥有单导游电性。利 用 PN 结的单导游电性，能够制成拥有不一样功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。别的，半导体资料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等要素）的变化特别敏感，据此能够制造各样敏感元件，用于信息变换。 半导体资料的特征参数有禁带宽度、电阻率、 载流子迁徙率 、非均衡载流子寿命和 位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反应构成这种资料的原子中价 电子从约束状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁徙率反应资料的导电能 力。非均衡载流子寿命反应半导体资料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平 衡状态向均衡状态过渡的弛豫特征。位错是晶体中最常有的一类缺点。位错密度用来衡 量半导体单晶资料晶格完好性的程度，关于非晶态半导体资料，则没有这一参数。半导 体资料的特征参数不单能反应半导体资料与其余非半导体资料之间的差异 ，更重要的 是能反应各样半导体资料之间甚至同一种资料在不一样状况下，其特征的量值差异。 种类 常用的半导体资料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单调元 素制成的半导体资料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二 元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ -Ⅴ族（如砷化 镓、 磷化镓 、磷化铟 等）、Ⅱ -Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ -Ⅵ 族（如硫化铅、硒化铅等） 、Ⅳ - Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半 导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导 体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。别的，还有非晶态和液态半导体资料，这 类半导体与晶态半导体的最大差异是不拥有严格周期性摆列的晶体构造。 制备 不一样的半导体器件对半导体资料有不一样的形态要求，包含单晶的切片、磨 片、抛光片、薄膜等。半导体资料的不一样形态要求对应不一样的加工工艺。常用的半导体 资料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 所有的半导体资料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在 6 个 “9以”上 ，最高达 11 个 “9以”上。提纯的方法分两大类，一类是不改变资料的化学构成进行提纯，称为物理 提纯；另一类是把元素先变为化合物进行提纯，再将提纯后的化合物复原成元素，称为