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半导体物理学知识要点总结(精) 半导体物理学知识要点总结(精) PAGE / NUMPAGES 半导体物理学知识要点总结(精) 半導體物理知識點總結附重要名詞解釋 是剩余硅离子。 霍尔效应 将通有 x 方 向电流的晶体置于 z 方向的磁场中，则在洛仑磁力作用下在 y 方向会产生附带电 场，这类现 象被称为霍尔效应。 霍尔角 在磁场作用下，半导体中的电流可能与电 场不在同一方向上，二者间的夹角称为霍尔角。 以 p 型半导体为例，简要说明霍 耳效应的形成机理。 若半导体沿 x 方向通电流， z 方向加磁场，则在 y 方向将产生 横向电场，该现象称为霍耳效应 产生的横向电场称为霍耳电场 Ey， 它与 x 方向电 流密度 Jx 和 z 方向磁感觉强度 Bz 成正比， 比率系数成为霍耳 系数。是因为运动 电荷受落仑兹力作用的结果。 稳固条件下，横向电流为零，则 由此可得： 明显，关于  p 型半导体：  简并半导 体 非简并半导体：  若费米能级进入了导带，说明  n 型杂质混杂浓度很高  (即 ND  很大；也说了然导带底邻近的量子态基本上被电  子所占有了。若费米能级进入 了价带，说明 P 型杂质混杂浓度很高 (即 NA 很大；也说了然价带顶邻近的量子态基 本上被空穴所占有了。此时要考虑泡利不相容原理，而玻尔兹曼散布不合用， 一定用费米散布函数。这此状况称为 载流子的简并化。 发生载流子简并化的半导体称为简并半导体 . 简并化的标准 重要名詞解釋 16 有效质量 : 粒子在晶体中运动时拥有的等效质量，它归纳 了半导体内部势场的作用。 2. 费米能级 : 费米能级是 T=0 K 时电子系统中电子占有态和 未占有态的分界限，是 T=0 K 时系统中电子所能拥有的最 高能量。 3. 准费米能级 : 半导体处于非均衡态时，导带电子和价带空 穴不再有一致的费米能级，但能够以为它们各 自达到均衡， 相应的费米能级称为电子和空穴的准费米能级。 4. 金刚石型构造：金刚石构造是一种由同样原子构成的复式 晶体，它是由两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线彼 此位移四分之一空间对角线长度套构而成。每个原子四周 都有 4 个近来邻的原子，构成一个正四周体构造。 5. 闪锌矿型构造：闪锌矿型构造的晶胞，它是由两类原子各 自构成的面心立方晶格，沿空间对角线相互位移四分之一空间对角线长度套构而成。 6. N 型半导体 : 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如 磷） ，使 之取代晶格中硅原子的地点，就形成了  N 型半导体。  7. P 型半导体  : 在 纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）  ， 使之取代晶格中硅原子的地点，形成  P 型半导体。  8. 状态密度  : 在能带中能量  E 邻近每单位能量间隔内的量子  态数  9. 费 米散布函数 : 大批电子在不一样能量量子态上的统计分 布 10.非均衡载流子 : 半导体处于非均衡态时，比均衡态时多出 来的那一部分载流子称为非均衡载流子。 p= n 11直.接复合： 电子从导带直接跃迁至价带与空穴相遇而复合。 12. 间接复 合 : 电子经过禁带中的能级而跃迁至价带与空穴 相遇而复合。 13.施主能级 :经过施主混杂在半导体的禁带中形成缺点能级， 被子施主杂质约束的电子能量状态称施主能级。 14 受主能级：经过受主混杂在半导体的禁带中形成缺点能 级。正常状况下，此能级为空穴所占有，这个被受主杂 质约束的空穴的能量状态称为受主能 级。 15.圈套中心 :半导体中的杂质和缺点在禁带中形成必定的能 级，这些能级具 有收留部分非均衡载流子的作用，杂质能 级的这类累积非均衡载流子的作用称为 圈套效应。把产生 明显圈套效应的杂质和缺点称为圈套中心。 16.复合中心： 半导体中的杂质和缺点能够在禁带中形成必定 的能级，对非均衡载流子的寿命有很大 影响。杂质和缺点 越多，寿命越短，杂质和缺点有促使复合的作用，把促使 复合 的杂质和缺点称为复合中心。 （2 分） 17 等电子复合中心：等电子复合中心：在 Ⅲ－Ⅴ族化合物半 导体中掺入必定量的与主原子等价的某种杂质原子，取代 格点 上的原子。因为杂质原子和主原子之间电负性的差异， 中性杂质原子能够约束电子或空穴而成为带电中心，带电 中心会吸引和被约束载流子符号相反的载流子， 形成一个 激子约束态。 18.迁徙率：单位电场作用下，载流子获取的均匀定向运动 速度，反应了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物 理中重要的观点和参 数之一。迁徙率的表达式为： μ =q τ /m*。可见，有效质量和弛豫时间（散射）是 影响迁徙率的 要素。 19.漂移运动 : 载流子在电场作用下的运动。总漂移电流密度 方程 扩散运动 ：当半导体内部的载流子存 在浓