第四章场效应管(FET)及基本放大电路要点.pdfVIP

第四章 场效应管（ FET ）及基本放大电路 §4.1 知识点归纳 一、场效应管（ FET）原理 ·FET 分别为 JFET 和 MOSFET 两大类。每类都有两种沟道类型，而 MOSFET 又分为 增强型和耗尽型（ JFET 属耗尽型） ，故共有 6 种类型 FET （图4-1 ）。 ·JFET 和 MOSFET 内部结构有较大差别，但内部的沟道电流都是多子漂移电流。一般 情况下，该电流与 vGS 、 vDS 都有关。 ·沟道未夹断时， FET 的 D-S 口等效为一个压控电阻（ vGS 控制电阻的大小） ，沟道全 夹断时，沟道电流 i D 为零；沟道在靠近漏端局部断时称部分夹断，此时 i D 主要受控于 vGS ， 而 vDS 影响较小。这就是 FET 放大偏置状态；部分夹断与未夹断的临界点为预夹断。 ·在预夹断点， vGS 与 v DS 满足预夹断方程： vDS vGS VP V P 耗尽型 FET 的预夹断方程： （ ——夹断电压） vDS vGS VT VT 增强型 FET 的预夹断方程： （ ——开启电压） ·各种类型的 FET ，偏置在放大区（沟道部分夹断）的条件由表 4-4 总结。 表 4-4 FET 放大偏置时 v GS 与 v DS 应满足的关系 极 性 放大区条件 N 沟道管：正极性 (V 0) V V －V (或 V )0 DS DS GS P T V DS DS DS GS －V P T P 沟道管：负极性 (V 0) V V (或 V )0 结型管： 反极性 N 沟道管： VGSV P(或 VT) V GS 增强型 MOS 管：同极性 耗尽型 MOS 管：双极型 P 沟道管： VGSVP( 或 VT) ·偏置在放大区的 FET ， v GS ~ i D 满足平方律关系： vGS 2 i D I DSS (1 ) V P I DSS 耗尽型： （ ——零偏饱和漏电流） 2 增强型： i D k (vGS VT ) * iD f (v DS ) V 参变量 ·FET 输出特性曲线反映关系 G S ，该曲线将伏安平面分为可变电阻区 （沟道未夹断），放大区（沟道部分夹断）和截止区（沟道全夹断） ；FET 转移特性曲线反映 在放大区的关系 i D f (vGS ) （此时参变量 V DS 影响很小） ，图 4-17 画出以漏极流向源极的沟 道电流为参考方向的 6 种 FET 的转移特性曲线，这组曲线对表