射频氮化镓(GaN)技术正在走向主流应用.pdfVIP

射频氮化镓（ GaN ）技术正在走向主流应用 网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高 功率密度的射频器件，这使得市场对于射频氮化镓（ GaN ） 器件的需求不断升温。 举个例子，现在的无线基站里面， 已经开始用氮化镓器件取代硅基射频器件，在基站设备上， 氮化镓器件的使用得越来越广泛。氮化镓受青睐主要是因为 它是宽禁带（ wide-bandgap ）器件，与硅或者其他三五价器 件相比，氮化镓速度更快，击穿电压也更高。 现在，为了 把氮化镓器件推到更大的市场去，一些射频氮化镓厂商开始 考虑在未来的手持设备中使用氮化镓。对于现在的手机而言， 氮化镓的性能过剩，价格又太贵。但将来支持下一代通信标 准（即 5G ）的手机，使用氮化镓是有可能的。 氮化镓技术 非常适合 4.5G 或 5G 系统，因为频率越高，氮化镓的优势 越明显。但对于手机而言，氮化镓材料还有很多难题需要解 决，例如功耗、散热与成本。 不同工艺比较（数据来源于 OKI 半导体） 射频氮化镓技术是 5G 的绝配 虽然氮化镓用到手机上还不现实，但业界还是要关 注射频 氮化镓技术的发展。“与砷化镓（ GaAs ）和磷化铟（ InP ）等 高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与 LDCMOS 和碳化硅 （SiC ）等功率工艺相比， 氮化镓的频率特性更好。 ” 分析机构 Strategy Analytics 的分析师 Eric Higham 说。 “氮 化镓器件的瞬时带宽更高，这一点很重要，载波聚合技术的 使用以及准备使用更高频率的载波都是为了得到更大的带 宽。”Higham说， “这意味着覆盖系统的全部波段和频道只需 要更少的放大器。” 氮化镓（ GaN ）、砷化镓（ GaAs ）和磷 化铟 （InP ）是射频应用中常用的三五价半导体材料， LDMOS （横向扩散 MOS 技术）是基于硅的射频技术， 碳化硅 （SiC ） 可用于功率或射频领域。 可以肯定的是，氮化镓不会统治 整个射频应用，设备厂商会像以前一样，根据应用选择不同 的器件和工艺制程技术， 包括三五价化合物与硅材料。“ （射 频领域）还是有砷化镓与硅器件的市场空 间。”GlobalFoundries 射频市场总监 Peter Rabbeni 说道。 什 么是氮化镓？ 氮化镓技术可以追溯到 1970 年代，美国无线电公司 （RCA ） 开发了一种氮化镓工艺来制造 LED 。现在市场上销售的很多 LED 就是使用蓝宝石衬底的氮化镓技术。 除了 LED ，氮化 镓也被使用到了功率半导体与射频器件上。 基于氮化镓的 功率芯片正在市场站稳脚跟。“我们相信，氮化镓在 600V 功 率器件市场将占有主要优势。 ”英飞凌氮化镓全球应用工程经 理 Eric Persson 说道。 氮化镓功率器件