半导体制造技术11-淀积.ppt.pptxVIP

本章(běn zhānɡ)概要;11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.1 概述(ɡài shù);11.2 化学(huàxué)汽相淀积;CVD设备(shèbèi);CVD技术(jìshù)特点：;CVD化学(huàxué)过程;CVD化学(huàxué)过程;CVD反应(fǎnyìng)步骤;CVD传输和反应(fǎnyìng)步骤图;硅气相外延(wàiyán)实例;速度限制阶段(jiēduàn); 在更低的反应温度和压力下，由于只有更少???能量来驱动表面反应，表面反应速度会降低。最终反应物达到硅片表面的速度将超过表面化学反应的速度。在这种情况(qíngkuàng)下。淀积速度是受化学反应速度限制的，此时淀积受表面反应速度限制。;CVD气流(qìliú)动力学;硅片表面(biǎomiàn)的气流;CVD反应(fǎnyìng)中的压力;CVD过程(guòchéng)中的掺杂;CVD过程(guòchéng)中的掺杂;CVD淀积系统(xìtǒng);CVD淀积系统(xìtǒng);CVD反应器类型(lèixíng);各种(ɡè zhǒnɡ)反应器类型及特点;连续(liánxù)加工的APCVD反应炉;APCVD TEOS-O3改善(gǎishàn)后的台阶覆盖;用TEOS-O3淀积SiO2;PSG回流(huí liú)后平坦化的表面;LPCVD;硅片表面(biǎomiàn)的边界层;LPCVD反应(fǎnyìng)室;用TEOS LPCVD淀积氧化硅;氮化硅淀积;氮化硅淀积;多晶硅的性质(xìngzhì);多晶硅的制备(zhìbèi);等离子体(děnglízǐtǐ)辅助CVD;等离子体(děnglízǐtǐ)辅助CVD 中膜的形成;PECVD的一般(yībān)流程;不同(bù tónɡ)CVD形成氮化硅的性质;高密度等离子体(děnglízǐtǐ)淀积腔;淀积-刻蚀-淀积工艺(gōngyì);HDPCVD工艺(gōngyì)的步骤;在涡轮泵出口(chū kǒu)放置硅片的 HDPCVD;介质间隙(jiàn xì)填充过程;CVD质量(zhìliàng)测量;介质(jièzhì)参数和作用;ULSI 互连中可能(kěnéng)的低K值ILD材料;芯片(xīn piàn)性能;互连延迟与特征(tèzhēng)尺寸的关系;总互连线电容(diànróng);低K值绝缘(juéyuán)介质要求;DRAM叠层(dié cénɡ)电容示意图谈;11.3 介质(jièzhì)及其性能;器件(qìjiàn)隔离;局部(júbù)氧化（LOCOS）;浅槽隔离(gélí)（STI）;11.3 介质(jièzhì)及其性能;浅槽隔离(gélí)（STI）;旋涂绝缘(juéyuán)介质;用 Spin-On-Glass 填充(tiánchōng)间隙;HSQ 低k值绝缘介质工艺(gōngyì)参数;外延生长(shēngzhǎng)定义;外延(wàiyán)生长方法;硅片上外延(wàiyán)生长硅;外延(wàiyán)生长优点;外延(wàiyán)生长反应;外延(wàiyán)生长反应;外延掺杂(chān zá)种类;人为(rénwéi)掺杂;人为(rénwéi)掺杂;自掺杂;扩散(kuòsàn)效应;扩散(kuòsàn)效应;蒸发(zhēngfā)效应;腐蚀(fǔshí)效应;气相外延(wàiyán)示意图;硅气相外延(wàiyán)炉;THE END