半导体物理与器件第五章2.pptVIP

半导体物理(wùlǐ)与器件 陈延湖 第一页，共20页。 5.2 载流子的扩散(kuòsàn)运动 电场(diàn chǎng)作用下的漂移运动(√) 对载流子有两种空间(kōngjiān)运动 浓度差引起的扩散运动 1 扩散电流密度 2 半导体总电流密度方程 3 内生电场 爱因斯坦关系 第二页，共20页。 扩散(kuòsàn)电流密度 当半导体内的载流子分布(fēnbù)不均匀时，会出现载流子由高浓度处向低浓度处的扩散运动。 光照(guāngzhào) x A B 0 x x+Δx 由于扩散运动而形成的净电荷流动将形成电流，称为扩散电流。 第三页，共20页。 扩散流密度（流速）Fn(x) ：单位时间通过扩散的方式(fāngshì)流过垂直的单位截面积的载流子数 引入表征(biǎo zhēnɡ)扩散的物理量： 设电子(diànzǐ)的平均自由程(电子(diànzǐ)在两次碰撞之间走过的平均距离）为l 由热运动特性，在x=-l到x=0处范围内的电子将有一半向右运动 在x=0到x=l处范围内的电子将有一半向左运动 则延x正方向电子的扩散流密度为： 第四页，共20页。 可见载流子扩散流密度（流速）正比(zhèngbǐ)于载流子浓度梯度，扩散流向与梯度方向相反 载流子为带电流子，其扩散运动将产生扩散电流 将上式在x=0处级数展开(zhǎn kāi)，保留前两项可得： 热运动(yùndòng)速度 令： D为扩散系数，表征粒子扩散的强弱，单位cm2/s 平均自由程 第五页，共20页。 扩散(kuòsàn)电流密度： 对空穴(kōnɡ xué): 对电子(diànzǐ): 第六页，共20页。 载流子的总电流密度 以均匀掺杂N型材料为例，若在 x 方向加光照、加电场E，载流子既做漂移运动(yùndòng)又做扩散运动(yùndòng)，相应产生扩散电流和漂移电流 光照(guāngzhào) x 第七页，共20页。 空穴的扩散(kuòsàn)电流： 空穴(kōnɡ xué)的漂移电流: 电子的扩散(kuòsàn)电流： -x方向 电子的漂移电流： +x方向 +x方向 光照 总电流密度（漂移+扩散） x +x方向 第八页，共20页。 半导体中总电流密度为： 该方程为半导体电流密度方程，是求解(qiú jiě)半导体物理与器件电特性的基本方程之一 若扩展(kuòzhǎn)到三维： 第九页，共20页。 5.3 杂质(zázhì)梯度分布 到目前为止讨论的基本(jīběn)都是均匀掺杂的半导体材料，在实际的半导体器件中可能存在非均匀掺杂的区域，即梯度杂质参杂。 梯度掺杂可以产生一个有趣的现象，即内建电场的形成 该电场不会产生净的外部电流(diànliú) 借助该电场可以揭示半导体迁移率和扩散系数之间的内在关系即爱因斯坦关系 第十页，共20页。 考虑一块非均匀n型半导体，施主杂质(zázhì)随x增加而下降 电子空穴扩散电流(diànliú)分别为： 载流子扩散使得载流子趋于均匀分布，但离开(lí kāi)了原位置 E 而电离杂质不能移动，半导体内部局部电中性被破坏，出现内建电场E，该电场又产生漂移电流。该漂移电流与扩散电流相反。 第十一页，共20页。 该电场的存在导致各处电子的电势并不相同，从而各处的电子的能量也不相同，能带不再是平直的，但由于是热平衡态，费米能级仍然处处(chùchù)相等 达到平衡后，空间各处电子的浓度不完全等同于施主杂质的掺杂浓度，但是这种差别并不是很大即满足准电中性条件 第十二页，共20页。 对于一块(yī kuài)非均匀掺杂的N型半导体材料，我们可定义各处电势（电子势能除以电子电量-e）为： 半导体各处(ɡè chǔ)的电场强度为： 假设电子浓度与施主杂质浓度基本(jīběn)相等（准电中性条件），则有： 第十三页，共20页。 由上式看出，由于(yóuyú)存在非均匀掺杂，将使得半导体中产生内建电场。该内建电场与浓度梯度相关 热平衡时费米(fèi mǐ)能级EF恒定，所以上式两边对x求导可得： 因此(yīncǐ)，电场为： 求得： 第十四页，共20页。 内建电场引起的漂移(piāo yí)电流： 由于达到平衡后体内(tǐ nèi)不应该存在宏观电流，电子空穴总电流应分别为零： 以非均匀掺杂的n型半导体为例，假设仍然近似(jìn sì)的满足电中性条件： 第十五页，共20页。 而电场(diàn chǎng)的表达式为： 代入得到(dé dào)： 因而(yīn ér)扩散系数和迁移率有关系： 则： 同理可得 第十六页，共20页。 因而(yīn ér)：