二极管及其应用.pptVIP

四 二极管应用电路 （1）低频及脉冲电路中，做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换… （2）集成运放加二极管构成指数、对数、乘法、除法等运算电路 （3）高频电路中做检波、调幅、混频等 1. 整流电路：利用二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图2）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。 第三十页，共50页 ▼图1-28为典型的单相半波整流电路。分析如下： （1）当vi(t)﹥0→ 二极管正偏 （2）当vi(t) ﹤0 → 二极管反偏 金属封装 朔料封装 第三十一页，共50页 2 . 限幅电路： （1）双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sinωt （2）单向限幅电路（取Er =0即为教材上的例题）： （3）幅度可调的双向限幅电路： 例二：图中所示为理想二极管，ui波形如图，绘出uo波形。 解：如图，ui3V时uo= ui（D通）； ui3V uo=3V（D不通） ；ui=3V uo=3V（临界导通）。绘图如下 第三十二页，共50页 例三：如图电路，已知ui（t）=10sinωt（V）VD=0.7V，绘出uo波形。 + - uo 10V -10V 5.7V -5.7V ui（t） 10V t t 第三十三页，共50页 3 钳位电路（主要用于组成门电路） 能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图1-31。 设vi(t) 是±2.5V 的方波信号1-31（b）， Vo=？ 例四：如图电路则 第三十四页，共50页 4． 续流作用：元件保护 在电子线路中，常用二极管来保护其他元器件免受过高电压的损害，如图1.1.7所示电路，L和R是线圈的电感和电阻。 在开关S接通时，电源E给线圈供电，L中有电流流过， 储存了磁场能量。在开关S由接通到断开的瞬时，电流突然中断， L中将产生一个高于电源电压很多倍的自感电动势eL，eL与E叠加作用在开关S的端子上，在S的端子上产生电火花放电， 这将影响设备的正常工作，使开关S寿命缩短。接入二极管VD后，eL通过二极管VD产生放电电流i, 使L中储存的能量不经过开关S放掉， 从而保护了开关S。  第三十五页，共50页 第一页，共50页 第二页，共50页 第一章 晶体二极管及应用电路 §1-1 半导体基础知识 半导体 一 、半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质。其电阻率在10-3~109欧.米。 半导体具有某些特殊性质—外界条件改变，导电能力改变。 ：如压敏、热敏、光照及掺杂特性等。 二、半导体材料：用于制造半导体器件的材料。 半导体管又称晶体管。常见材料硅（Si）和锗（Ge）。微波中有砷化镓（GaAs）。 第三页，共50页 三、本征半导体 ： 纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99. 999%以上）即为本征半导体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 图1-1 硅和锗的晶体结构 1.本征激发：价电子因热运动获得能量，争脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在共价键上留下空位，这一现象成为本征激发。图1-1 温度越高，本征激发越强，产生的自由电子和空穴越多。 第四页，共50页 第五页，共50页 2.半导体中载流子：能够导电的电荷称载流子。 半导体中的两种载流子：自由电子，空穴 两种载流子导电的差异：图1-4 自由电子在晶格中自由运动；空穴运动即价电子的填补空穴的运动，始终在原子的共价键间运动。 3.载流子的复合和平衡 载流子的复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使 一对自由电子空穴对消失。 动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等，称为载流子的动态平衡。 本征浓度ni：平衡状态下本征半导体单位体积内的自由电子数（空穴数）。 第六页，共50页 本征半导体结构示意图1-5 本征半导体中电子与空穴1-6 第七页，共50页 四、杂质半导体 引言：杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。 1. N型半导体： 在