半导体的光学性质.docVIP

半导体的光学性质 如果用适当波长的光照射半导体， 那么电子在吸收了光子后将由价带跃迁到导带， 而在 价带上留下一个空穴， 这种现象称为光吸收。 半导体材料吸收光子能量转换成电能是光电器 件的工作基础。光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： lx =1。1-r e 式中，I x表示距离表面x远处的光强；10为入射光强；r为材料表面的反射率；:为材料 吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 1本征吸收 半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带， 在价带中留下空穴，产生等量的电 子与空穴，这种吸收过程叫本征吸收。 要发生本征光吸收必须满足能量守恒定律，也就是被吸收光子的能量要大于禁带宽度 Eg，即h - Eg，从而有: 0 _ Eg h 二，0 空 he： Eg 二 1.24eV Eg 其中h是普朗克常量，v是光的频率.e是光速，v0材料的频率阈值， 入0材料的波长阈 值，下表列出了常见半导体材料的波长阀值。 几种重要半导体材料的波长阈值 材料 温度M Z/pm 材糾 温度/K E理 A/pm 300 1.8 0.69 InSb 300 0.16 6.9 Ge 300 0.S1 1.5 GaAs 3Q0 1.35 0.02 Si 290 1.09 1.1 Gap 300 2.24 0 55 PbS 295 043 29 电子被光激发到导带而在价带中留下一个空穴