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三相全控桥可控整流电路原理 三相全控桥可控整流电路 直流平均电压Ud: 直流平均电流Id: 单相全控桥式整流电阻性负载 负载上直流平均电压Ud与平均电流Id I=Ud/Rd 单相全控桥式整流电阻性负载 负载上电压有效值U与电流有效值I I=U/Rd 单相全控桥式整流电阻性负载 晶闸管电流有效值IT 管子两端可能承受的最大正反向电压UTM IT = UTM= U2 ~~ 单相全控桥式整流大电感负载 单相全控桥式整流大电感负载 负载上直流平均电压Ud与平均电流Id Id=Ud/Rd 单相全控桥式整流大电感负载 晶闸管的电流平均值、有效值、管子承受到的最大电压 单相半控桥电阻性负载可控整流 单相半控桥电阻性负载可控整流 负载上直流平均电压Ud与平均电流Id Id=Ud/Rd 单相半控桥电阻性负载可控整流 负载上电压有效值U与电流有效值I I=U/Rd 单相半控桥电阻性负载可控整流 晶闸管、整流管的电流平均值、有效值、管子承受到的最大电压 单相半控桥电感性负载可控整流 单相半控桥电感性负载接续流二极管可控整流 单相半控桥电感性负载可控整流 Id=Ud/Rd UTM= U2 一个晶闸管的半控桥整流电路 一个晶闸管的半控桥整流电路 Id=Ud/Rd 触发电路要求 1、触发电路送出的触发信号应有足够大的电压和功率 2、门极正偏压愈小愈好 3、触发脉冲的前沿要陡、宽度应满足要求 4、满足主电路移相范围的要求 5、触发脉冲必须于晶闸管的阳极电压取得同步 单结晶体管自励振荡电路 练习 1、通态平均电压值是衡量晶闸管质量好坏的指标之一,其值(A )。 A、越大越好 B、越小越好 C、适中为好 2、在三相半控桥式整流电路中,要求共阴极晶闸管的触发脉冲之间相位差为( )。 (A)60° (B)120° (C)150° (D)180° 3、电力场效应管MOSFET是理想的( A)控制器件。 (A) 电压 (B)电流 (C)电阻 (D)功率 4、电力晶体管在使用时,要防止(A)。 (A) 二次击穿 (B)静电击穿 (C)时间久而失效 (D)工作在开关状态 5、电力场效应管MOSFET适于在(B )条件下工作 A、直流 B、低频 C、中频 D、高频 6、电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止( C) A、时间久而失效 B、二次击穿 C、静电击穿 D、饱和 7、电力晶体管GTR有( B)个PN结 A、1 B、2 C、3 D、4 8、绝缘栅双级晶体管属于(A )控制元件 A、电压 B、电流 C、功率 D、频率 9、要求各项整流指标好,但不要逆变的小功率场合应采用( B )电路。 A、单相全控桥 B、单相半控桥 C、三相半波 D、三相半控桥 练习 10、改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用( AB )。 A、变电阻 B、变电容 C、变电感 D、变电压 11、晶闸管由导通变为截止的条件是( D )。 A、控制电压减小 B、控制电压反向 C、控制电压为零 D、阳极电压为零 12、( 对 ) 晶闸管加正向电压,触发电流越大,越容易导通。 13、( 对 )电力晶体管属于双极型晶体管。 14、( 对)绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件。 15、晶闸管在什么条件下才会导通?导6、通后怎样使它关断?(只讲普通晶闸管)。 ? 三相半波不可控整流电路 三相半波不可控整流电路 输出直流平均电压: 整流二极管承受的最大反向电压: 三相半波可控整流电阻性负载电路 三相半波可控整流电阻性负载电路 三相半波可控整流电阻性负载电路 输出电压平均值: 负载平均电流: 晶闸管平均电流与承受的最大电压: 三相半波可控整流大电感负载不接续流二极管电路 三相半波可控整流大电感负载不接续流二极管电路 输出电压平均值: 负载平均电流: 晶闸管平均电流、有效电流与承受的最大电压: 三相半波可控整流大电感负载接续流二极管电路 三相半波可控整流大电感负载接续流二极管电路 电路各物理量的计算 共阳极三相半波可控整流电路 三相全控桥可控整流电路 三相全控桥可控整流电路原理 三相全控桥可控整流电路原理 上一页 下一页 返
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