半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工试卷.docVIP

试卷第 PAGE 1 页共 NUMPAGES 1 页 半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工试卷 姓名:_____________ 年级:____________ 学号:______________ 题型 选择题 填空题 解答题 判断题 计算题 附加题 总分 得分 评卷人 得分 1、禁带宽度的大小决定着（ ）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。2、硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（ ）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。3、铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（ ），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。4、在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（ ）。5、钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（ ）、（ ）等。6、金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（ ）同类电极系统的楔刀焊接。7、芯片焊接质量通常进行镜检和（ ）两项试验。8、如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（ ）。9、钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（ ）控制。10、外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（ ）设计也包含在这三部分中间。11、厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（ ），氮化铝（A1N）陶瓷。12、微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（ ）微波混合集成电路两类。13、外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（ ）；反应室漏气；外延层的晶体（ ）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。14、离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（ ）和（ ）。15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（ ）、（ ）淀积、PECVD淀积。16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（ ）（ ）（ ）隔离等三种基本方法.17、最常用的金属膜制备方法有（ ）加热蒸发、（ ）蒸发、（ ）。18、热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（ ）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。19、杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（ ）扩散和（ ）扩散两种。20、半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（ ）半导体、（ ）半导体、固溶半导体三大类。21、延生长方法比较多，其中主要的有（ ）外延、（ ）外延、金属有机化学气相外延、（ ）外延、原子束外延、固相外延等。22、气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（ ）性、（ ）率，并影响其电学性能和（ ）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。23、禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（ ）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。 A.越不容易受 B.越容易受 C.基本不受24、变容二极管的电容量随（ ）变化。 A.正偏电流 B.反偏电压 C.结温25、双极晶体管的1c7r噪声与（ ）有关。 A.基区宽度 B.外延层厚度 C.表面界面状态26、半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（ ），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。 A.热阻 B.阻抗 C.结构参数27、非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（ ）。 A.小于0.1mm B.0.5～2.0mm C.大于2.0mm28、厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收l A.准备工具 B.准备模塑料 C.模塑料预热31、平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（ ）。压力太大，电阻值下降，对形成焊点不利，焊轮压力太小，则造成接触不良，不但形不成良好点。 A.电流值 B.电阻值 C.电压值32、溅射法是由（ ）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅