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VDMOS工艺流程(ɡōnɡ yì liú chénɡ)简介 InPowerSemiconductor Apr.2012 第一页，共30页。主要内容MOSFET的结构;MOSFET的芯片制成工艺；封装测试工艺流程;MOSFET主要控制点；生产(shēngchǎn)测试仪器的介绍第二页，共30页。MOSFET的结构(jiégòu)第三页，共30页。芯片制造(zhìzào)工艺流程材料(cáiliào)制备 氧 化Ring光刻P+注入P+扩散Active光刻多晶光刻多晶注入多晶淀积栅氧化JFET注入氧 化P-WELL注入(zhù rù)P-WELL退火SOURCE光刻SOURCE注入 退 火载流子寿命控制AL光刻、合金AL 溅射接触孔光刻 PSG退火PSG淀积钝 化钝化光刻 减 薄背面蒸发中 测第四页，共30页。第五页，共30页。第六页，共30页。第七页，共30页。第八页，共30页。第九页，共30页。第十页，共30页。第十一页，共30页。第十二页，共30页。第十三页，共30页。第十四页，共30页。最终器件(qìjiàn)结构第十五页，共30页。Die Picture第十六页，共30页。封装测试(cèshì)工艺流程 划 片 装 片键 合塑 封打 印电 镀切 筋测 试包 装第十七页，共30页。划片第十八页，共30页。装片第十九页，共30页。键合第二十页，共30页。塑封第二十一页，共30页。打印(dǎ yìn)第二十二页，共30页。切筋第二十三页，共30页。测试(cèshì)第二十四页，共30页。编带包装(bāozhuāng)第二十五页，共30页。MOSFET重点(zhòngdiǎn)监控点第二十六页，共30页。生产测试仪器(yíqì)的介绍（在线控制）第二十七页，共30页。生产(shēngchǎn)测试仪器的介绍（参数测试的）第二十八页，共30页。谢谢(xiè xie)大家！第二十九页，共30页。内容(nèiróng)总结VDMOS工艺流程简介。生产测试仪器的介绍(jièshào)（参数测试的）。谢谢大家第三十页，共30页。词语：器件 拼音：qìjiàn 解释：仪器、器械上的主要零件。电子仪器中特指晶体管、电子管。 词语：打印 拼音：dǎ yìn 解释：盖图章。宋刘昌诗《芦浦笔记·打字》：“世言打字尚多，不仅欧阳公所云也……印文书谓之打印。”清黄六鸿《福惠全书·钱穀·革官银匠》：“其三，侵尅打印，虽小锭亦要戳钱。”打字油印。如：这文件要打印。 词语：测试 拼音：cèshì 解释：测量试验。朱敏《怀念敬爱的父亲》：“父亲坚决抵制了他，派警卫班长测试了河的深浅，准备千方百计渡过河去与等候在包座的毛主席会合。” 词语：在线 拼音：zài xiàn 解释：１、科学技术上指在某种系统的控制过程中。２、电子计算机系统上指在互联网上。 词语：简介 拼音：jiǎn jiè 解释：①简要地介绍。); ②简要介绍的文字：中国民航事业～。 * 2.45 mm 3.19 mm G S 0.61 mm 0.82 mm 0.54 mm 0.49 mm *