位错基本理论.pptxVIP

章位错理论(lǐlùn) 第一页，共143页。一、晶体中的缺陷 晶体结构特点是长程有序。构成(gòuchéng)物体的原子、离子或分子等完全按照空间点阵规则排列的，将此晶体称为理想晶体。在实际晶体中，原子的排列不可能这样规则和完整，而是或多或少地存在着偏离理想结构的区域，出现了不完整性。通常把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体缺陷。第二页，共143页。根据几何形态(xíngtài)特征，可把晶体缺陷分为三类：(1)点缺陷 、(2)线缺陷、(3) 面缺陷(1)点缺陷：特征是在三维空间的各个方向上的尺寸都很小，亦称为零维缺陷。如空位、间隙原子等。(2)线缺陷：特征是在两个方向上的尺寸很小，在一个方向上的尺寸较大，亦称为一维缺陷。如晶体中的各类位错。(3) 面缺陷：特征是在一个方向上的尺寸很小，在另外两个方向上的尺寸较大，亦称二维缺陷。如晶界、相界、层错、晶体表面等。第三页，共143页。研究晶体缺陷的意义：（1）晶体中缺陷的分布(fēnbù)与运动，对晶体的某些性能(如金属的屈服强度、半导体的电阻率等)有很大的影响。（2）晶体缺陷在晶体的塑性和强度、扩散以及其它结构敏感性的问题上往往起主要作用，而晶体的完整部分反而处于次要地位。因此，研究晶体缺陷，了解晶体缺陷的基本性质，具有重要的理论与实际意义。 第四页，共143页。二、点缺陷（point defect ）：晶体中的点缺陷：包括