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半导体物理实验讲义 半导体物理实验讲义 半导体物理实验讲义 半导体物理 实验讲义 北方工业大学信息工程学院 微电子实验中心 2004 目 录 实验一 激光测定硅单晶的晶向 1 实验二 霍尔系数及电阻率的测量 6 实验三 外延片和氧化层厚度的测量 17 实验四 硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示 21 实验五 椭偏仪测量薄膜的厚度和折射率 28 实验六 PN 结温度特性的测量 40 实验七 PN 结 C-V 特性测试 47 试验八 半导体材料的方阻和电阻率的测量研究 51 实验一 激光测定硅单晶的晶向 晶面定向就是要确定单晶体的表面与某指定的基准晶面之间的夹角。 当晶面定向仪与切 片机联合使用时，可以确定单晶体某一基准晶面的法线与切片设备定向夹具轴线的夹角。 硅、锗单晶体是金刚石结构，具有各向异性。生长速度、腐蚀速度、氧化速度、扩散系 数和解理特性等都和晶体取向有关。在半导体器件的科学研究和生产中需要一定晶向的锗、 硅等单晶体， 因而晶向是一个基本材料参数。 在切片工艺中沿特定晶向或偏离一定角度进行 切割，可以有效地提高器件的质量和成品率。 测定晶体取向有解理法， X 射线劳埃法， X 射线衍射法和光学反射图象法等多种方法。 共中光学反射图象法是目前生产中广泛使用的方法，这个方法较为简便，能直接进行观测，而且在测定低指数晶面时精确度相当好。 一、实验目的 本实验的目的， 就是要了解光学反射